Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Tabela 3.4: Resultados dos coeficientes de textura calculados para os planos cristalográficos
de Ag e Au observados na Figura 3.24
Metal Plano(hkl) I/I0 TC(hkl)
Ag 111 1,03 0,95
Ag 200 1,14 1,06
Au 111 0,63 1,28
Baseando-se nos valores de TC(hkl) encontrados, observa-se que para os três casos
os valores encontrados indicam que os respectivos metais não apresentam um plano de
textura preferido, sendo a orientação de seus átomos ao longo dos respectivos planos,
randômica. Isto é, as nanoestruturas formadas apresentam-se cristalinas porém sem plano
de orientação (textura) preferido. Tal fato, fortalece as observações feitas quanto ao alarga-
mento dos picos de difração. A formação de estruturas cristalinas mas sem plano de textura
preferido é considerada praticamente uma excessão 83 . Assim, do ponto de vista prático
esta característica das nanoestruturas influencia fortemente algumas de suas propriedades
inerentes, como por exemplo, suas propriedades elétricas e a própria cinética de adsorção
de moléculas sobre a superfície destes, que como reportado na literatura se dá demodo
termodinâmicamente mais estável sobre determinadas orientações 27 .
3.2.4 Caracterização elétrica dos dispositivos formados
Como os ISFETs produzidos não possuem eletrodo de porta, e como as regiões de
fonte e dreno destes formam um diodo (junção pn), medidas de I-V destes diodos foram
realizadas (Fig. 3.26(e) e (f)). O propósito destas foi verificar o comportamento elétrico e
conseqüentemente o funcionamento do respectivos transistores. Para isso, foram realizadas
medidas em transistores isolados, também chamados de transistores controle, e do conjunto
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