Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

3.13 Imagem superficial de SiO2 (55 nm de espessura) crescido por oxidação seca
sobre a porta dos transistores. O perfil de rugosidade do óxido é mostrado
nafiguradadireitaaolado. .......................... 109
3.14 Imagens de microscopia eletrônica com emissão de campo com diferentes
magnificações mostrando a alumina porosa formada por anodização em
solução de H2SO4 0,5 mol/L a 2 o C por 55 segundos com potencial de
25 V. Após a anodização as amostras foram submersas verticalmente por
24 minutos em solução de H3PO4 0,1 mol/L a 26 o C. Os histogramas in-
seridos correspondem em (a) ao diâmetro médio dos poros formados e em
(b) a distância médiaentreosporos. ..................... 112
3.15 Morfologia da camada de alumina produzida conforme as condições indi-
cadasanteriormente. .............................. 114
3.16 Representação do mecanismo de formação dos poros em alumina. . . . . . 115
3.17 Imagem de MEV da camada de alumina produzida por anodização em
solução de H2SO4 0,5 mmol/L a 2 o C por 55 segundos com potencial de
25 V, sem o processo de alargamento dos poros. . . . . . . . . . . . . . . . 118
3.18 Imagens de MEV de nanoestruturas de Ag crescidas em alumina utilizando
quatro diferentes concentrações de AgNO3. a) 10 mmol/L, b) 30 mmol/L,
c)50mmol/Led)75mmol/l.......................... 119
3.19 Imagens de MEV de nanoestruturas de Au crescidas em alumina utilizando
quatro diferentes concentrações de AgCl. a) 1 mmol/L, b) 10 mmol/L, c)
30mmol/Led)50mmol/L........................... 120
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