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3.5 Quarta máscara empregada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo superior um detalhe da máscara. Abaixo uma foto de um detalhe desta. No esquerdo inferior é mostrado uma sobreposição desta com as três anteriores..................................... 97 3.6 Quinta máscara empregada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo superior um detalhe da máscara. Abaixo uma foto de um detalhe desta. No esquerdo inferior é mostrado uma sobreposição desta com as quatroanteriores................................. 97 3.7 Sexta máscara empregada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo superior um detalhe da máscara. Abaixo uma foto de um detalhe desta. No esquerdo inferior é mostrado uma sobreposição desta com as cinco anteriores. 98 3.8 Sétima máscara projetada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo inferior émostradaumafotodesta. ...................... 98 3.9 a) Sobreposição do layout de máscaras necessárias para a fabricação de um transistor e suas regras de projeto. b) Esquema geral do circuito elétrico dos ISFETs fabricados. Neste, D representa o dreno, F a fonte, P as portas e B o contato de corpo, o qual durante as medidas é curto circuitado com afonte....................................... 100 3.10 Representação das regiões de dopagem nos transistores construídos . . . . 105 3.11 Resultado do crescimento do óxido para se evitar regiões de rupturas. . . . 106 3.12 Processo utilizado na determinação de Xj. .................. 107 xxii
3.13 Imagem superficial de SiO2 (55 nm de espessura) crescido por oxidação seca sobre a porta dos transistores. O perfil de rugosidade do óxido é mostrado nafiguradadireitaaolado. .......................... 109 3.14 Imagens de microscopia eletrônica com emissão de campo com diferentes magnificações mostrando a alumina porosa formada por anodização em solução de H2SO4 0,5 mol/L a 2 o C por 55 segundos com potencial de 25 V. Após a anodização as amostras foram submersas verticalmente por 24 minutos em solução de H3PO4 0,1 mol/L a 26 o C. Os histogramas in- seridos correspondem em (a) ao diâmetro médio dos poros formados e em (b) a distância médiaentreosporos. ..................... 112 3.15 Morfologia da camada de alumina produzida conforme as condições indi- cadasanteriormente. .............................. 114 3.16 Representação do mecanismo de formação dos poros em alumina. . . . . . 115 3.17 Imagem de MEV da camada de alumina produzida por anodização em solução de H2SO4 0,5 mmol/L a 2 o C por 55 segundos com potencial de 25 V, sem o processo de alargamento dos poros. . . . . . . . . . . . . . . . 118 3.18 Imagens de MEV de nanoestruturas de Ag crescidas em alumina utilizando quatro diferentes concentrações de AgNO3. a) 10 mmol/L, b) 30 mmol/L, c)50mmol/Led)75mmol/l.......................... 119 3.19 Imagens de MEV de nanoestruturas de Au crescidas em alumina utilizando quatro diferentes concentrações de AgCl. a) 1 mmol/L, b) 10 mmol/L, c) 30mmol/Led)50mmol/L........................... 120 xxiii
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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