Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

fornecendo desta forma um parâmetro conhecido como área fracional de poro (Fp) 66 ,oque
corresponde a área total da superfície da parede dos poros. A área total porosa (Atotal) foi
então calculada a partir do somatório de todas estas. Os resultados destes são mostrados
na Tabela 3.3.
Tabela 3.3: Características geométricas da alumina anódica produzida sobre a porta dos
transistores.
ISFET(curto) ISFET(longo)
L(µm) 10 50
W(µm) 50 50
dp (poros/ISFET) 714 x 10 3 3571 x 10 3
Asp(cm 2 /ISFET) 4.99 x 10 −6 24.99 x 10 −6
Anp(cm 2 /ISFET) 2 x 10 −9 3x10 −9
Fp 12.8 x 10 −6 64.3 x 10 −6
Atotal(cm 2 /ISFET) 17.8 x 10 −6 89.3 x 10 −6
Observando-se assim os valores da área total Atotal da porta dos transistores contendo
a alumina, verifica-se um aumento na área superficial de aproximadamente 3,6 vezes ou ∼
255 % com relação a área de dispositivos sem esta, sugerindo assim que uma maior densi-
dade de carga pode se desenvolver na superfície dos sensores durante seu funcionamento,
o que porventura pode implicar num aumento de sensibilidade do mesmo.
A morfologia da alumina foi observada por AFM, sendo o valor médio de rugosidade
encontrado para esta igual a 7,5 nm ± 0,7 nm. Este representa um aumento em cerca de
2500 % na rugosidade do óxido de porta em relação ao SiO2 crescido inicialmente. Este
aumento é efetivamente grande em comparação a rugosidade inicial do SiO2, mas bastante
aceitável de forma geral tendo em vista as condições de formação da alumina, isto é, em
meio fortemente ácido e sobre ação de alto campo elétrico (∼ 10 7 V/cm) 48 . A morfologia
desta é mostrada na Figura 3.15.
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