Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...
Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...
Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
fornecendo <strong>de</strong>sta forma um parâmetro conhecido como área fracional <strong>de</strong> poro (Fp) 66 ,oque<br />
correspon<strong>de</strong> a área total da superfície da pare<strong>de</strong> dos poros. A área total porosa (Atotal) foi<br />
então calculada a partir do somatório <strong>de</strong> todas estas. Os resultados <strong>de</strong>stes são mostrados<br />
na Tabela 3.3.<br />
Tabela 3.3: Características geométricas da alumina anódica produzida sobre a porta dos<br />
transistores.<br />
ISFET(curto) ISFET(longo)<br />
L(µm) 10 50<br />
W(µm) 50 50<br />
dp (poros/ISFET) 714 x 10 3 3571 x 10 3<br />
Asp(cm 2 /ISFET) 4.99 x 10 −6 24.99 x 10 −6<br />
Anp(cm 2 /ISFET) 2 x 10 −9 3x10 −9<br />
Fp 12.8 x 10 −6 64.3 x 10 −6<br />
Atotal(cm 2 /ISFET) 17.8 x 10 −6 89.3 x 10 −6<br />
Observando-se assim os valores da área total Atotal da porta dos transistores contendo<br />
a alumina, verifica-se um aumento na área superficial <strong>de</strong> aproximadamente 3,6 vezes ou ∼<br />
255 % com relação a área <strong>de</strong> dispositivos sem esta, sugerindo assim que uma maior <strong>de</strong>nsi-<br />
da<strong>de</strong> <strong>de</strong> carga po<strong>de</strong> se <strong>de</strong>senvolver na superfície dos sensores durante seu funcionamento,<br />
o que porventura po<strong>de</strong> implicar num aumento <strong>de</strong> sensibilida<strong>de</strong> do mesmo.<br />
A morfologia da alumina foi observada por AFM, sendo o valor médio <strong>de</strong> rugosida<strong>de</strong><br />
encontrado para esta igual a 7,5 nm ± 0,7 nm. Este representa um aumento em cerca <strong>de</strong><br />
2500 % na rugosida<strong>de</strong> do óxido <strong>de</strong> porta em relação ao SiO2 crescido inicialmente. Este<br />
aumento é efetivamente gran<strong>de</strong> em comparação a rugosida<strong>de</strong> inicial do SiO2, mas bastante<br />
aceitável <strong>de</strong> forma geral tendo em vista as condições <strong>de</strong> formação da alumina, isto é, em<br />
meio fortemente ácido e sobre ação <strong>de</strong> alto campo elétrico (∼ 10 7 V/cm) 48 . A morfologia<br />
<strong>de</strong>sta é mostrada na Figura 3.15.<br />
113