Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Figura 3.14: Imagens de microscopia eletrônica com emissão de campo com diferentes
magnificações mostrando a alumina porosa formada por anodização em solução de H2SO4
0,5 mol/L a 2 o C por 55 segundos com potencial de 25 V. Após a anodização as amostras
foram submersas verticalmente por 24 minutos em solução de H3PO4 0,1 mol/L a 26 o C.
Os histogramas inseridos correspondem em (a) ao diâmetro médio dos poros formados e
em (b) a distância média entre os poros.
poros por centímetro quadrado). Assim, a partir destes calculou-se a densidade porosa (dp)
para a porta de cada tipo de transistor fabricado. A área porosa total na superfície (Asp)
foi calculada pela multiplicação de dp vezes a área de único poro, enquanto a área total não
porosa na superfície (Anp) foi encontrada através da subtração da área de um transistor
não contendo poros em sua porta (5 x 10 −6 cm 2 para transistores de 10 x 50 µm e25x10 −6
cm 2 para transistores de 50 x 50 µm) pelo valor de Asp calculado anteriormente. Sabendo
ainda que a espessura da camada de alumina, conforme determinado por medidas de AFM,
é de aproximadamente 60 nm, e considerando então que esta étambémaalturadosporos
(a espessura da camada barreira neste caso é desprezível), determinou-se considerando a
partir do diâmetro dos poros encontrado, a sua área transversal. O valor encontrado para
esta, o qual foi igual 1,8 x 10 −11 cm 2 /poro, foi ainda multiplicado pela densidade de poros,
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