Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

More documents

Recommendations

Info

máscara projetada (a qual deixou exposta apenas as regiões de porta dos transistores), estas foram então anodizadas. A anodização do alumínio de porta foi completa, atestando-se esta através de um decaimento na corrente elétrica durante a anodização até aproximadamente zero. Esta também pode ser confirmada visualmente, uma vez que a alumina formada demonstra-se transparente, e portanto, permite a visualização da coloração do substrato de SiO2 quando o processo é completo. A reação de formação da alumina é mostrada na sequência. Reação no ânodo: 2Al + 3H2O → Al2O3 +6H + +6e − Reação no cátodo: 6H + +6e − → 3H2 Na Figura 3.14 são apresentadas imagens da alumina formada pelo processo de anodização adotado. Observando-se estas, verifica-se que as membranas formadas apresentam uma distribuição regular de poros com um formato quase cilíndrico sobre sua superfície. O tempo total de anodização do Al nas condições experimentais utilizadas foi de 55 segundos. A alumina então formada, tem uma boa aderência sobre o substrato de SiO2. A análise destas e outras imagens da mesma alumina utilizando o programa Image J de domínio público 65 mostram que o diâmetro médio dos poros (Dporo) esuadistância centro a centro (Dint) (interporos) é de aproximadamente 30 ± 6nme55± 3 nm respectivamente (Figuras inseridas). A partir destes dados estimou-se (considerando a área de único poro como sendo igual 7 x10 −12 cm 2 ) a densidade média de poros, a qual foi de 140 x 10 9 poros/cm 2 (140 bilhões de 111
Figura 3.14: Imagens de microscopia eletrônica com emissão de campo com diferentes magnificações mostrando a alumina porosa formada por anodização em solução de H2SO4 0,5 mol/L a 2 o C por 55 segundos com potencial de 25 V. Após a anodização as amostras foram submersas verticalmente por 24 minutos em solução de H3PO4 0,1 mol/L a 26 o C. Os histogramas inseridos correspondem em (a) ao diâmetro médio dos poros formados e em (b) a distância média entre os poros. poros por centímetro quadrado). Assim, a partir destes calculou-se a densidade porosa (dp) para a porta de cada tipo de transistor fabricado. A área porosa total na superfície (Asp) foi calculada pela multiplicação de dp vezes a área de único poro, enquanto a área total não porosa na superfície (Anp) foi encontrada através da subtração da área de um transistor não contendo poros em sua porta (5 x 10 −6 cm 2 para transistores de 10 x 50 µm e25x10 −6 cm 2 para transistores de 50 x 50 µm) pelo valor de Asp calculado anteriormente. Sabendo ainda que a espessura da camada de alumina, conforme determinado por medidas de AFM, é de aproximadamente 60 nm, e considerando então que esta étambémaalturadosporos (a espessura da camada barreira neste caso é desprezível), determinou-se considerando a partir do diâmetro dos poros encontrado, a sua área transversal. O valor encontrado para esta, o qual foi igual 1,8 x 10 −11 cm 2 /poro, foi ainda multiplicado pela densidade de poros, 112
Page 1 and 2:
Universidade Estadual de Campinas I
Page 3 and 4:
Agradecimentos Ao Instituto de Qu
Page 5 and 6:
DEDICO ESTA DISSERTAÇÃO aos meus
Page 7 and 8:
2003-2004 Universidade Regional de
Page 9 and 10:
Resumo Título : Desenvolvimento de
Page 11 and 12:
Lista de Figuras 1.1 Prognóstico d
Page 13 and 14:
2.7 Evaporadora térmica (Edwards)
Page 15 and 16:
3.13 Imagem superficial de SiO2 (55
Page 17 and 18:
3.26 (a) Conjunto de transistores d
Page 19 and 20:
3.34 Detecção de glutationa (GSH)
Page 21 and 22:
Sumário 1 INTRODUÇÃO 1 1.1 A Min
Page 23 and 24:
3.2.1 A escolha da orientação cri
Page 25 and 26:
INTRODUÇÃO O desenvolvimento de t
Page 27 and 28:
Além destes, existem ainda os sens
Page 29 and 30:
diversos microcomponentes, otimizan
Page 31 and 32:
1.1.1 Os microssensores História H
Page 33 and 34:
sistores de efeito de campo, abriu
Page 35 and 36:
dreno. A primeira aplicação para
Page 37 and 38:
MOSFET, as dimensões de fonte e dr
Page 39 and 40:
Para tanto, ”trilhas”de algum m
Page 41 and 42:
dos preenchidos, o material não ap
Page 43 and 44:
atribuída aos elétrons n em Ec, o
Page 45 and 46:
VA resultam numa variação do nív
Page 47 and 48:
Fisicamente, na fase sólida a dife
Page 49 and 50:
sólido é dada por ¯µi = µi + z
Page 51 and 52:
1.3 Propriedades Elétricas: A Fun
Page 53 and 54:
curvarão ainda mais para baixo, de
Page 55 and 56:
planasejaalcançada, um potencial c
Page 57 and 58:
estabelecido. A condutância (gm) n
Page 59 and 60:
somente pela modulação de VT . Ad
Page 61 and 62:
se como ferramentas alternativas e
Page 63 and 64:
dutância elétrica (G) através de
Page 65 and 66:
Fisicamente, o comprimento de Debye
Page 67 and 68:
e portanto sua reatividade é esper
Page 69 and 70:
Figura 1.14: Estrutura geral de uma
Page 71 and 72:
seja condutor, como no caso da elet
Page 73 and 74:
amostras contendo as espécies de i
Page 75 and 76:
CAPÍTULO 2 EXPERIMENTAL 53 1
Page 77 and 78:
2.2.1 Oxidação Aoxidação térmi
Page 79 and 80: uma estrutura amorfa, e portanto, n
Page 81 and 82: de campo escuro apresentam seus pad
Page 83 and 84: Tipos de Dopagem Difusão Térmica
Page 85 and 86: modo de funcionamento. Figura 2.5:
Page 87 and 88: apenas em uma pequena profundidade
Page 89 and 90: impurezas que podem estar no ambien
Page 91 and 92: Figura 2.8: Representação esquem
Page 93 and 94: Etapa II Esta etapa consiste no uso
Page 95 and 96: do substrato. Desta maneira, a impl
Page 97 and 98: tribuição do polímero fotosensí
Page 99 and 100: mais 10 minutos. Na sequência as l
Page 101 and 102: de íons. Em seguida, realizou-se o
Page 103 and 104: para assegurar que todo o TCE utili
Page 105 and 106: 40 segundos a 4000 rpm. Nesta veloc
Page 107 and 108: de uma solução mista de AgNO3 100
Page 109 and 110: Feito esta e após os processos de
Page 111 and 112: CAPÍTULO 3 RESULTADOS E DISCUSSÃO
Page 113 and 114: Figura 3.1: (a) Ilustração geral
Page 115 and 116: Figura 3.3: Segunda máscara empreg
Page 117 and 118: Figura 3.7: Sexta máscara empregad
Page 119 and 120: Figura 3.9: a) Sobreposição do la
Page 121 and 122: Onde os termos VFB, κ, NA,D, ni co
Page 123 and 124: Tabela 3.1: Características elétr
Page 125 and 126: da lâmina foi realizada proposital
Page 127 and 128: Observando-se os valores destes, ve
Page 129: É importante destacar que a qualid
Page 133 and 134: Figura 3.15: Morfologia da camada d
Page 135 and 136: O estresse mecânico e a organizaç
Page 137 and 138: Figura 3.17: Imagem de MEV da camad
Page 139 and 140: de nanopartículas de Ag com diâme
Page 141 and 142: propriedades ópticas diferentes da
Page 143 and 144: detecção de macromoléculas biol
Page 145 and 146: Crescimento Dois aspectos important
Page 147 and 148: Nas Figuras 3.24 (a) e (b) são mos
Page 149 and 150: interações de van der Waals e con
Page 151 and 152: Tabela 3.4: Resultados dos coeficie
Page 153 and 154: de transistores. Nas Figuras 3.26 (
Page 155 and 156: Figura 3.27: Curvas de ID xVDS com
Page 157 and 158: Figura 3.29: Curva de ID xVGS com V
Page 159 and 160: é, quanto maior esta, maior mobili
Page 161 and 162: Esta diferença é explicada nos me
Page 163 and 164: Figura 3.32: Detecção de pH com o
Page 165 and 166: levar à corrosão e portanto forma
Page 167 and 168: Figura 3.33: Estrutura molecular de
Page 169 and 170: característica observada em todas
Page 171 and 172: comprimento de Debye foi estimado e
Page 173 and 174: 4. CONCLUSÕES • A configuração
Page 175 and 176: nanoestruturas de Ag e Au, nos quai
Page 177 and 178: 5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
Page 179 and 180: Referências Bibliográficas [1] B.
Page 181 and 182:
[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
Page 183 and 184:
[31] A. Huczko, Template-based synt
Page 185 and 186:
[45] S. R. Ekanayake, M. B. Cortie,
Page 187 and 188:
[60] F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayd
Page 189 and 190:
[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
Page 191:
[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
show all

Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?