Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

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1.10 Ilustração demonstrando a similaridade em tamanho de espécies químicas, biológicas e materiais em escala nanoestruturada. . . . . . . . . . . . . . . 39 1.11 Características geométricas e confinamento em nanofios com dimensões de Dmenoresque10nm. ............................. 41 1.12 Dependência da condutância em função do comprimento de Debye em uma estrutura com dimensões nanoscópicas. .................... 43 1.13 Arranjo atômico nos três principais planos cristalográficos em uma estrutura CFC........................................ 44 1.14 Estrutura geral de uma camada de alumina crescida anódicamente sobre um substrato de alumínio. Os termos δ eld correspondem a espessura de uma camada barreira criada durante a anodização e a altura dos poros formados, respectivamente. ................................ 47 2.1 Representação de um forno térmicoconvencional............... 56 2.2 Forno de oxidação convencional disponívelnoCCS. ............. 57 2.3 Fotoalinhadora Karl Suss MJB 3 com uma lâmpada de Hg de 200 W e λ de 405 nm equipada com um microscópio SUSS M 204. . . . . . . . . . . . 59 2.4 Ilustração do processo de litografia óptica empregando-se resinas positivas enegativas. ................................... 61 2.5 (a) Implantador de íons GA-4204 EATON disponível no CCS.(b) Esquema descrevendo o funcionamento de um implantador de íons........... 64 2.6 Redes cristalinas das orientações , ), e rotação da e efeito da canalização dos íons..................... 65 xx
2.7 Evaporadora térmica (Edwards) disponívelnoCCS.............. 68 2.8 Representação esquemática das etapas de fabricação dos ISFETs. . . . . . 70 2.9 Ilustração do tubo de quartzo contendo as lâminas e as dummy wafers. . . 79 3.1 (a) Ilustração geral de um dos substratos de quartzo contendo quatro tipos de máscaras. Estas são distinguidas pelas colorações. (b) Distribuição dos dies nas máscaras. (c) sobreposição de todas as 7 máscaras destacando algunsdetalhesdestas. ............................. 94 3.2 Primeira máscara empregada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo superior um detalhe da máscara. Abaixo uma foto de um detalhe da máscara fabricada. As dimensões dos transistores de cada célula são indicadasacima.................................. 95 3.3 Segunda máscara empregada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo superior um detalhe da máscara. Abaixo uma foto de um detalhe desta. No esquerdo inferior é mostrado uma sobreposição desta com a máscaraanterior. ................................ 96 3.4 Terceira máscara empregada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo superior um detalhe da máscara. Abaixo uma foto de um detalhe desta. No esquerdo inferior é mostrado uma sobreposição desta com as duas anteriores..................................... 96 xxi
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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