Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

É importante destacar que a qualidade deste óxido deve ser a melhor possível pois este
éaessência do chaveamento do transistor, ou seja, é através dele que o potencial gerado na
superfície da porta modulará a corrente entre a fonte e o dreno, e portanto, determinará
o funcionamento do transistor.
Uma importante advertênciaquantoaoprocessodeoxidação seca utilizando o TCE, é
que o fluxo inicial de O2 deve ser realizado com o intuito de remover todo o N2 das etapas
anteriores. Esta remoção é necessária, pois na próxima etapa ao se introduzir o TCE, este
pode a altas temperaturas (acima de 900 o C) reagir com N2 formando entãoogás fosgeno
(cloreto de carbonila), o qual é extremamente letal.
Adicionalmente, o uso de TCE foi também necessário, tendo em vista que este possui
em sua estrutura três átomos de cloro, os quais a alta temperatura (neste caso 1000 o C)
são ionizados. Estes assim, são capazes de neutralizar íons com carga positiva como Na +
presentes no SiO2 ou mesmo nas paredes do forno, e desta forma passivar estes de modo
que o óxido da porta do transistor fique isento da maior quantidade possível deste tipo
de impureza. A baixa concentração do TCE fez-se também necessária em virtude de sua
ação toxicológica e, principalmente em função de sua decomposição e geração de espécies
como Cl − ,asquais,seemaltaconcentração, podem representar também uma fonte de
contaminação no SiO2.
Anodização de alumínio de porta e formação de alumina porosa
Após a metalização das lâminas e a conseguinte fotogravação utilizando a quarta
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