Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

fabricados em um processo a parte, pois pelo contrário, os mesmos apresentariam um Lef
negativo, o que significa dizer que o transistor estaria em curto sem mesmo estar ligado.
Caracterização do óxido de porta
A espessura do óxido de porta produzido pela terceira oxidação foi determinada através
de medidas utilizando um elipsômetro. O valor encontrado através deste foi de 55 nm, o
qual também está dentro da faixa de espessura esperada para as condições de tempo e tem-
peratura empregados durante a oxidação. A rugosidade deste foi determinada utilizando-se
um microscópio de força atômica (AFM) modelo Nanoscope IIIa da Digital Instruments
(Santa Barbara, CA). As análises através deste indicaram como já previsto, uma rugosi-
dade muito baixa com cerca de 0,26 nm ± 0,03 nm. A imagem desta é mostrada na Figura
3.13.
Figura 3.13: Imagem superficial de SiO2 (55 nm de espessura) crescido por oxidação seca
sobre a porta dos transistores. O perfil de rugosidade do óxido é mostrado na figura da
direitaaolado.
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