Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Observando-se os valores destes, verifica-se que o valor de resistividade apresenta-se como
esperado mais baixo do que em relação ao valor determinado no início do processo. Isto
pois, novos portadores foram agora introduzidos junto a rede cristalina do semicondutor,
e portanto, como já previsto uma diminuição na resistividade do substrato pode ser obser-
vada. O valor calculado para Xj também demonstrou-se de acordo com o esperado para
as condições de tempo e temperatura empregados durante o processo de recozimento e
oxidação.
Comprimento efetivo de canal
Duranteosprocessosdeoxidação e recozimento, os dopantes das regiões de fonte
e dreno tendem a difundir-se lateralmente para o interior do canal de condução. Esta
difusão faz com que a largura do canal seja menor do que aquela definida pela máscara de
litografia. Esta largura efetiva (Lef)comoéentão chamada, pode ser definida utilizando-se
a seguinte expressão:
Lef = LM − 1, 4.Xj
(Eq.27)
onde LM é a largura definida pela máscara de litografia e o valor de 1,4 é um fator de
processo decorrente por imperfeições na litografia e durante as corrosões. Assim, para os
respectivos transistores fabricados os valores de Lef determinados foram de 7,4 µm para
os transistores com porta com dimensão de 10 x 50 µm e 47,4 para os transistores de 50
x50µm.
Por este motivo, os transistores com porta com dimensão de 2 x 50 µm estão sendo
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