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Recozimento e oxidação úmida Após o implante de 31 P + para a formação das regiões de fonte e dreno, realizou-se como já descrito no procedimento experimental, o processo de recozimento e oxidação úmida das lâminas. Ao final desta etapa o aspecto das lâminas se apresentava como na ilustração da Figura 3.10. Figura 3.10: Representação das regiões de dopagem nos transistores construídos As espessuras dos óxidos Tox1 eTox2 foram determinadas utilizando-se novamente o inter- ferômetro. Os valores encontrados para estas foram de 1000 e 620 nm, respectivamente. Como pode ser observado através da Figura 3.10 e também através dos valores de espessura do óxido, verifica-se que Tox1 eTox2 não cresceram na mesma proporção. Isto ocorreu devido ao substrato de crescimento de ambos óxidos ser diferente. Isto é, enquanto Tox1 cresceu sobre uma camada de óxido já previamente formada, Tox2 cresceu direto sobre a região dopada da lâmina de Si, de modo que, os mecanismos de crescimento sobre os respec- tivos substratos são diferentes. Enquanto Tox2 cresceu diretamente sobre o Si, reagindo ooxigênio com átomos de Si proveniente da lâmina, Tox1 cresceu desenvolvendo-se sobre uma superfície já oxidada, e portanto, não possuindo quantidades apreciáveis de Si para reagir com o oxigênio. A formação deste óxido com diferentes espessuras, formando degraus sobre a superfície 105
da lâmina foi realizada propositalmente, visando assim, evitar possíveis problemas de rupturas durante a metalização. Na Figura 3.11 são mostradas representações da necessidade de criação do degrau dentro das regiões de fonte e dreno. Figura 3.11: Resultado do crescimento do óxido para se evitar regiões de rupturas. Este crescimento de óxido nas regiões de fonte e dreno, o aumento da espessura do óxido adjancente a estas, e a consecutiva formação do degrau previniu com que o alumínio depositado futuramente pudesse promover rupturas, penetrando assim junto ao silício num processo conhecido como ”spike”, ou mesmo formando vazios nas extremidades devido ao não preenchimento completo das regiões. Determinação da profundidade de junção (Xj) Após estes processos de oxidação, determinou-se novamente a resistência de folha (Rs) das lâminas e agora também a profundidade de penetração dos dopantes (Xj) durante a implantação, assim como a concentração destes nas regiões implantadas. Os resultados destas, permitem uma melhor avaliaçãodosprocessosdedifusão. Para tanto, Xj foi de- terminado desbastando-se mecânicamente a lâmina com a ajuda do equipamento Philtec 2015 Sectioner, o qual contém um disco com uma pasta abrasiva de pó de diamante. Após, promoveu-se a corrosão da região desbastada com HF diluído em água (1:10, respectivamente) e algumas gotas de HNO3 concentrado. A corrosão com os tais reagentes fez com 106
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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Resumo Título : Desenvolvimento de
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nanoestruturas de Ag e Au, nos quai
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[31] A. Huczko, Template-based synt
Page 185 and 186:
[45] S. R. Ekanayake, M. B. Cortie,
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[60] F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayd
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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