Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Recozimento e oxidação úmida
Após o implante de 31 P + para a formação das regiões de fonte e dreno, realizou-se como
já descrito no procedimento experimental, o processo de recozimento e oxidação úmida das
lâminas. Ao final desta etapa o aspecto das lâminas se apresentava como na ilustração da
Figura 3.10.
Figura 3.10: Representação das regiões de dopagem nos transistores construídos
As espessuras dos óxidos Tox1 eTox2 foram determinadas utilizando-se novamente o inter-
ferômetro. Os valores encontrados para estas foram de 1000 e 620 nm, respectivamente.
Como pode ser observado através da Figura 3.10 e também através dos valores de espes-
sura do óxido, verifica-se que Tox1 eTox2 não cresceram na mesma proporção. Isto ocorreu
devido ao substrato de crescimento de ambos óxidos ser diferente. Isto é, enquanto Tox1
cresceu sobre uma camada de óxido já previamente formada, Tox2 cresceu direto sobre a
região dopada da lâmina de Si, de modo que, os mecanismos de crescimento sobre os respec-
tivos substratos são diferentes. Enquanto Tox2 cresceu diretamente sobre o Si, reagindo
ooxigênio com átomos de Si proveniente da lâmina, Tox1 cresceu desenvolvendo-se sobre
uma superfície já oxidada, e portanto, não possuindo quantidades apreciáveis de Si para
reagir com o oxigênio.
A formação deste óxido com diferentes espessuras, formando degraus sobre a superfície
105