Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Tabela 3.1: Características elétricas e concentração inicial de impurezas nos substratos de
Si
.
t(cm) (V/I)(Ω) ρ(mΩ.cm) NA(dopantes.cm −3 ) Rs(Ω)
0.0325 0.62 90 10 17 2.81
fabricante das lâminas. A baixa resistividade encontrada é um reflexo da concentração
de impurezas presentes inicialmente nas lâminas, isto é, a resistividade é inversamente
proporcional à concentração de dopantes, isto pois, as impurezas ou dopantes introduzem
junto a rede de átomos de Si, portadores de carga (lacunas e/ou elétrons livres) que podem
se mover através da estrutura deste. Esta relação é demonstrada através da equação 25.
Oxidação inicial
Após estas etapas, as lâminas foram submetidas ao processo de oxidação úmida com o
intuito de se formar uma camada de óxido, também conhecido como óxido de campo ou
LOCOS (Local oxidation on silicon), capaz de isolar os futuros dispositivos. As condições
utilizadas nesta etapa visavam o crescimento de uma camada com aproximadamente 700
nm de espessura, entretanto, o valor obtido conforme verificado através de medidas uti-
lizando o interferômetro foi de 770 nm. Esta variação é normal e aceitável, uma vez que o
óxido crescido apresenta-se amorfo e pode durante seu crescimento permitir que as espécies
oxidantes como o O2 easpróprias moléculas de água difundam-se ainda mais através de
sua estrutura. Adicionalmente, como este óxido é apenas uma camada inicial que pos-
teriormente terá algumas de suas regiões corroídas, esta variação em sua espessura não
resultou em sérias implicações durante o processo.
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