Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Onde os termos VFB, κ, NA,D, ni correspondem ao potencial de banda plana, constante
de Boltzmann, à concentração de doadores e/ou aceitadores e a concentração intrínseca
de portadores de carga, respectivamente. Enquanto A, Cmax, εSi, εo, correspondem a área
de porta do transistor, a capacitância máxima na porta, a permitividade do Si e do vácuo,
respectivamente. Observando-se esta, verifica-se que com excessão da concentração de
dopantes (NA,D), todos os demais termos são constantes, assim o ajuste de VT pode ser
realizado controlando-se apenas a dosagem destes. Usualmente, os ajustes são realizados
com baixas doses de implantação de íons, pois pequenas modificações na concentração de
dopantes são suficientes. Tipicamente, estas doses são da ordem de 10 13 íons/cm 2 . Em
nosso caso, esta foi de 5 x 10 13 íons/cm 2 .
Uma outra razão para se aumentar a concentração de dopantes 11 B + édevidoaofato
de que durante a oxidação da lâmina estes íons tendem a migrar para o óxido, diminuindo
assim a sua concentração no substrato e aumentando a resistividade do mesmo 23 .
3.2.3 Caracterizações de acompanhamento da fabricação dos IS-
FETs
Ao iniciar a fabricação dos transistores, algumas características elétricas como resistivi-
dade (ρ), resistência de folha (Rs) e ainda a concentração de impurezas (NA) já existentes
nas lâminas foram determinadas. Assim, a partir da seguinte expressão determinou-se a
resistividade do substrato 23 :
V
ρ =4, 53.t.
I
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(Eq.23)