Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Por outro lado, devido a essa maior reatividade o óxido pode apresentar alguns defeitos,
uma vez que nem todo o Si acaba reagindo totalmente no processo de formação deste. No
caso da orientação , a qual apresenta uma reatividade relativamente menor, a taxa
de crescimento do óxido se comparada com a da lâmina possuindo orientação ébem
menor. Logo, a camada de óxido crescido em Si apresenta menos defeitos 23 . Uma outra
vantagem da escolha da lâmina de Si é o processo de clivagem da mesma, o qual do
ponto de vista prático demonstra-se mais fácil do que a clivagem de lâminas com outras
orientações. Em Si por exemplo, a lâmina sempre é clivada em 45 o , enquanto em
esta pode ser clivada em 90 o , facilitando assim a separação dos dispositivos no
final do processo.
3.2.2 O ajuste da tensão limiar (VT )
Como descrito na introdução, a tensão limiar (VT ) de um transistor é definida como
atensão necessária para a formação de uma camada de inversão na superfície do semi-
condutor, fazendo assim com que um canal de condução seja formado entre as regiões de
fonte e dreno do transistor. No caso de uma lâmina de Si do tipo p a dopagem desta
com íons 11 B + aumenta consequentemente a concentração de dopantes na lâmina, como
resultado é esperado que a tensão limiar também aumente. Mas para isto, a magnitude
de VT depende fortemente da concentração de dopantes, conforme indicado pela equação
22 23 :
κT
VT = VFB +2 ln
q
NA,D
ni
A
+
Cmax
101
4qεSiεoNA,D
κT
q
ln
NA,D
ni
(Eq.22)