Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Figura 3.9: a) Sobreposição do layout de máscaras necessárias para a fabricação de um
transistor e suas regras de projeto. b) Esquema geral do circuito elétrico dos ISFETs
fabricados. Neste, D representa o dreno, F a fonte, P as portas e B o contato de corpo, o
qual durante as medidas é curto circuitado com a fonte.
3.2 Fabricação dos ISFETs
Os processos descritos até agora foram para a fabricação de transistores com porta de
dimensõesde10x50µm e50x50µm. Os transistores com porta com dimensão de 2 x
50 µm, estão sendo ainda produzidos em um processo a parte e não serão descritos aqui.
3.2.1 A escolha da orientação cristalográfica do substrato
A motivação para a escolha das lâminas de Si com orientação cristalográfica foi
baseada na energia de superfície desta, bem como de suas consequências para o processo de
fabricação. Assim, sabendo que a energia de superfície do cristal de Si segue a seguinte or-
dem decrescente: (111)>(110)>(100), verifica-se que uma vantagem da orientação
em relação as demais, é o fato desta apresentar maior reatividade na superfície, o que
durante a oxidação do substrato, é capaz de formar uma maior quantidade de óxido em
um tempo de oxidação relativamente curto.
100