Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

3.1.1 Regras de projeto
Previamente àprojeção das máscaras, algumas regras de projeto para a fabricação
destas foram consideradas. Estas são de extrema importância pois asseguram que durante
o processamento dos dispositivos não haverá sobreposição de camadas de modo a ocasionar
por exemplo, curto circuito entre transistores vizinhos ou mesmo entre fonte e dreno de
um mesmo transistor. Na Figura 3.9 (a) é mostrado o layout de um transistor, onde as
máscaras utilizadas estão todas sobrepostas. O símbolo R seguido de um número indica
a regra de projeto para aquele detalhe das máscaras. Na Figura 3.9 (b) é apresentado um
esquema geral do circuito dos ISFETs projetados.
Assim, cada regra deve obedecer ao seguinte:
R1 = A distância mínima entre a primeira e a terceira máscara deve ser de 2 µm.
R2 = A separação mínima entre as regiões de difusão deve ser de 8 µm.
R3 = A superposição mínima da primeira e da segunda máscara deve ser de 2 µm.
R4 = A distância mínima da primeira máscara além da segunda, no sentido de W deve
ser de 2 µm.
R5 = A distância mínima entre a segunda e a terceira máscara deve ser de 2 µm.
R6 = A distância mínima entre a segunda e a quinta máscara deve ser de 2 µm.
R7 = A distância mínima entre metalizações deve ser de 8 µm.
R8 = A distância mínima da quinta máscara além da primeira, no sentido de W deve ser
de 2 µm.
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