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Universidade Estadual de Campinas I
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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DEDICO ESTA DISSERTAÇÃO aos meus
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2003-2004 Universidade Regional de
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Resumo Título : Desenvolvimento de
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Lista de Figuras 1.1 Prognóstico d
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2.7 Evaporadora térmica (Edwards)
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3.13 Imagem superficial de SiO2 (55
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3.26 (a) Conjunto de transistores d
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3.34 Detecção de glutationa (GSH)
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Sumário 1 INTRODUÇÃO 1 1.1 A Min
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3.2.1 A escolha da orientação cri
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INTRODUÇÃO O desenvolvimento de t
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Além destes, existem ainda os sens
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diversos microcomponentes, otimizan
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1.1.1 Os microssensores História H
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sistores de efeito de campo, abriu
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dreno. A primeira aplicação para
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MOSFET, as dimensões de fonte e dr
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Para tanto, ”trilhas”de algum m
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dos preenchidos, o material não ap
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atribuída aos elétrons n em Ec, o
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VA resultam numa variação do nív
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Fisicamente, na fase sólida a dife
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sólido é dada por ¯µi = µi + z
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1.3 Propriedades Elétricas: A Fun
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curvarão ainda mais para baixo, de
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planasejaalcançada, um potencial c
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estabelecido. A condutância (gm) n
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somente pela modulação de VT . Ad
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se como ferramentas alternativas e
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dutância elétrica (G) através de
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Figura 3.33: Estrutura molecular de
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característica observada em todas
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comprimento de Debye foi estimado e
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4. CONCLUSÕES • A configuração
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nanoestruturas de Ag e Au, nos quai
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[31] A. Huczko, Template-based synt
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[45] S. R. Ekanayake, M. B. Cortie,
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[60] F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayd
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,