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Figura 3.5: Quarta máscara empregada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo superior um detalhe da máscara. Abaixo uma foto de um detalhe desta. No esquerdo inferior é mostrado uma sobreposição desta com as três anteriores. recoberta com a fotoresina, ficando exposta apenas as regiões de porta. Figura 3.6: Quinta máscara empregada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo superior um detalhe da máscara. Abaixo uma foto de um detalhe desta. No esquerdo inferior é mostrado uma sobreposição desta com as quatro anteriores. Aquintamáscara agora, étambém chamada de máscara de interconexões, pois foi com ela que definiu-se as trilhas e as regiõesdecontatoelétrico para fonte e dreno. A sexta máscara por sua vez foi designada para definir as regiões de porta e contatos. Pois após a formação das interconexões,todaalâmina seria recoberta com Si3N4 para fins de isolar-se os dispositivos. Por fim a última máscara foi desenhada para a formação futura de microcanais que conduzirão as espécies a serem detectadas somente sobre a porta dos 97
Figura 3.7: Sexta máscara empregada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo superior um detalhe da máscara. Abaixo uma foto de um detalhe desta. No esquerdo inferior é mostrado uma sobreposição desta com as cinco anteriores. Figura 3.8: Sétima máscara projetada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo inferior é mostrada uma foto desta. ISFETs. 98
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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DEDICO ESTA DISSERTAÇÃO aos meus
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2003-2004 Universidade Regional de
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Resumo Título : Desenvolvimento de
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INTRODUÇÃO O desenvolvimento de t
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Além destes, existem ainda os sens
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diversos microcomponentes, otimizan
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1.1.1 Os microssensores História H
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sistores de efeito de campo, abriu
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dreno. A primeira aplicação para
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MOSFET, as dimensões de fonte e dr
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Para tanto, ”trilhas”de algum m
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dos preenchidos, o material não ap
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atribuída aos elétrons n em Ec, o
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VA resultam numa variação do nív
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característica observada em todas
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comprimento de Debye foi estimado e
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4. CONCLUSÕES • A configuração
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nanoestruturas de Ag e Au, nos quai
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[31] A. Huczko, Template-based synt
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Page 189 and 190:
[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
Page 191:
[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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