Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

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espectiva célula. A diferença nestes, entretanto, é que sua porta contém um contato metálico (eletrodo) de alumínio, o qual permite com que o transistor seja avaliado conven- cionalmente, e consecutivamente forneça informações, ainda que de forma indireta, sobre o funcionamento dos ISFETs produzidos simultâneamente nos canais. A Figura ainda indica as regiões para contato elétrico (pads) de fonte e dreno, assim como as dimensões de largura e comprimento de cada célula, 2 x 6 mm respectivamente. A escolha das dimensões dos transistores foi baseada na resolução da fotoalinhadora a ser utilizada durante os processos de litografia, a qual neste caso possui resolução máxima de 2 µm. Em adição, as demais dimensões foram projetadas por demonstrarem-se ade- quadas aos processos de microfabricação adotados no CCS. Na sequência são mostrados separadamente os layouts originais de cada uma das máscaras (Figuras 3.2 a 3.8) empregadas na fabricação dos ISFETs. Figura 3.2: Primeira máscara empregada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo superior um detalhe da máscara. Abaixo uma foto de um detalhe da máscara fabricada. As dimensões dos transistores de cada célula são indicadas acima. Esta primeira máscara foi projetada com o intuito de se definir as regiões de fonte e dreno. A segunda máscara teve a finalidade de promover a abertura de contatos nas regiões de 95
Figura 3.3: Segunda máscara empregada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo superior um detalhe da máscara. Abaixo uma foto de um detalhe desta. No esquerdo inferior é mostrado uma sobreposição desta com a máscara anterior. fonte e dreno, assim como da porta do transistor. Figura 3.4: Terceira máscara empregada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo superior um detalhe da máscara. Abaixo uma foto de um detalhe desta. No esquerdo inferior é mostrado uma sobreposição desta com as duas anteriores. A terceira máscara foi projetada para utilização após a formação do óxido de porta, pois foi com ela que foram abertas as regiões para a corrosão e a seguinte deposição de metal para contato de fonte e dreno. A quarta máscara definiu apenas as regiões de porta para a posterior anodização do alumínio e assim formação da alumina porosa sobre estes. Neste caso toda a lâmina foi 96
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Agradecimentos Ao Instituto de Qu
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DEDICO ESTA DISSERTAÇÃO aos meus
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2003-2004 Universidade Regional de
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Resumo Título : Desenvolvimento de
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3.2.1 A escolha da orientação cri
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INTRODUÇÃO O desenvolvimento de t
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Além destes, existem ainda os sens
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1.1.1 Os microssensores História H
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dreno. A primeira aplicação para
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Para tanto, ”trilhas”de algum m
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atribuída aos elétrons n em Ec, o
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VA resultam numa variação do nív
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sólido é dada por ¯µi = µi + z
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curvarão ainda mais para baixo, de
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4. CONCLUSÕES • A configuração
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nanoestruturas de Ag e Au, nos quai
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5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
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Referências Bibliográficas [1] B.
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[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
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[31] A. Huczko, Template-based synt
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[45] S. R. Ekanayake, M. B. Cortie,
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[60] F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayd
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[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
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[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
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