Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

espectiva célula. A diferença nestes, entretanto, é que sua porta contém um contato
metálico (eletrodo) de alumínio, o qual permite com que o transistor seja avaliado conven-
cionalmente, e consecutivamente forneça informações, ainda que de forma indireta, sobre
o funcionamento dos ISFETs produzidos simultâneamente nos canais. A Figura ainda
indica as regiões para contato elétrico (pads) de fonte e dreno, assim como as dimensões
de largura e comprimento de cada célula, 2 x 6 mm respectivamente.
A escolha das dimensões dos transistores foi baseada na resolução da fotoalinhadora a
ser utilizada durante os processos de litografia, a qual neste caso possui resolução máxima
de 2 µm. Em adição, as demais dimensões foram projetadas por demonstrarem-se ade-
quadas aos processos de microfabricação adotados no CCS.
Na sequência são mostrados separadamente os layouts originais de cada uma das máscaras
(Figuras 3.2 a 3.8) empregadas na fabricação dos ISFETs.
Figura 3.2: Primeira máscara empregada na fabricação dos transistores. No canto esquerdo
superior um detalhe da máscara. Abaixo uma foto de um detalhe da máscara fabricada.
As dimensões dos transistores de cada célula são indicadas acima.
Esta primeira máscara foi projetada com o intuito de se definir as regiões de fonte e dreno.
A segunda máscara teve a finalidade de promover a abertura de contatos nas regiões de
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