Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

More documents

Recommendations

Info

3. RESULTADOS E DISCUSSÃO 3.1 Layout das Máscaras de Litografia Projetadas As 7 máscaras de litografia projetadas para a construção dos ISFETs foram escritas sobre dois substratos de quartzo, sendo quatro delas desenhadas em um e mais três em outro. As máscaras assim, foram dispostas nestes de modo a formar quatro quadrantes em um (substrato com 4 máscaras) e três quadrantes em outro (substrato com 3 quadrantes), onde cada quadrante corresponde a um tipo de máscara, conforme ilustrado na Figura 3.1(a). Cada máscara foi então dividida em pequenos compartimentos também conhecidos como ”dies”, sendo cada um destes constituído por trêstiposdecélulas contendo transistores de diferentes dimensões intercelular, mas de mesma dimensão intracelular. As três células são formadas por transistores de diferentes dimensões de L (largura), isto é, 2, 10 e 50 µm eW (comprimento) fixo de 50 µm. Assim, dentro de cada célula existem três canais, sendo que cada um destes apresenta um arranjo de ISFETs de mesmas dimensões dispostos de três em três horizontalmente. As diferentes dimensões de L destes, variam apenas entre as células (Figura 3.1(b)). Na células contendo transistores de 2 x 50 µm, cada canal contém 84 transistores, totalizando 252 dispositivos na célula inteira. Enquanto nas células contendo ISFETs de dimensões 10 x 50 e 50 x 50, L e W respectivamente, os canais contém 78 e 51 dispositivos, totalizando assim 234 e 171 transistores por célula, respectivamente. No geral, os compartimentos formam nas máscaras uma matriz de 4 x 5, totalizando assim 93
Figura 3.1: (a) Ilustração geral de um dos substratos de quartzo contendo quatro tipos de máscaras. Estas são distinguidas pelas colorações. (b) Distribuiçãodosdiesnasmáscaras. (c) sobreposição de todas as 7 máscaras destacando alguns detalhes destas. ao final do processo a produção simultânea de 13140 transistores. Na Figura 3.1(c) é mostrada uma imagem de um compartimento (die) contendo três células com transistores de diferentes dimensõesdeL.Nesta,as7máscaras projetadas estão sobrepostas. Alguns detalhes destas estão em destaque, no canto direito inferior é mostrado uma ampliação das marcas de alinhamento projetadas. Estas tiveram a finalidade de facilitar o alinhamento das máscaras com o substrato durante os processos de fotogravação. Es- tas marcas foram dispostas na diagonal de cada célula. Em cada célula foram também projetados transistores controle com as mesmas dimensões do transistores dos canais da 94
Page 1 and 2:
Universidade Estadual de Campinas I
Page 3 and 4:
Agradecimentos Ao Instituto de Qu
Page 5 and 6:
DEDICO ESTA DISSERTAÇÃO aos meus
Page 7 and 8:
2003-2004 Universidade Regional de
Page 9 and 10:
Resumo Título : Desenvolvimento de
Page 11 and 12:
Lista de Figuras 1.1 Prognóstico d
Page 13 and 14:
2.7 Evaporadora térmica (Edwards)
Page 15 and 16:
3.13 Imagem superficial de SiO2 (55
Page 17 and 18:
3.26 (a) Conjunto de transistores d
Page 19 and 20:
3.34 Detecção de glutationa (GSH)
Page 21 and 22:
Sumário 1 INTRODUÇÃO 1 1.1 A Min
Page 23 and 24:
3.2.1 A escolha da orientação cri
Page 25 and 26:
INTRODUÇÃO O desenvolvimento de t
Page 27 and 28:
Além destes, existem ainda os sens
Page 29 and 30:
diversos microcomponentes, otimizan
Page 31 and 32:
1.1.1 Os microssensores História H
Page 33 and 34:
sistores de efeito de campo, abriu
Page 35 and 36:
dreno. A primeira aplicação para
Page 37 and 38:
MOSFET, as dimensões de fonte e dr
Page 39 and 40:
Para tanto, ”trilhas”de algum m
Page 41 and 42:
dos preenchidos, o material não ap
Page 43 and 44:
atribuída aos elétrons n em Ec, o
Page 45 and 46:
VA resultam numa variação do nív
Page 47 and 48:
Fisicamente, na fase sólida a dife
Page 49 and 50:
sólido é dada por ¯µi = µi + z
Page 51 and 52:
1.3 Propriedades Elétricas: A Fun
Page 53 and 54:
curvarão ainda mais para baixo, de
Page 55 and 56:
planasejaalcançada, um potencial c
Page 57 and 58:
estabelecido. A condutância (gm) n
Page 59 and 60:
somente pela modulação de VT . Ad
Page 61 and 62: se como ferramentas alternativas e
Page 63 and 64: dutância elétrica (G) através de
Page 65 and 66: Fisicamente, o comprimento de Debye
Page 67 and 68: e portanto sua reatividade é esper
Page 69 and 70: Figura 1.14: Estrutura geral de uma
Page 71 and 72: seja condutor, como no caso da elet
Page 73 and 74: amostras contendo as espécies de i
Page 75 and 76: CAPÍTULO 2 EXPERIMENTAL 53 1
Page 77 and 78: 2.2.1 Oxidação Aoxidação térmi
Page 79 and 80: uma estrutura amorfa, e portanto, n
Page 81 and 82: de campo escuro apresentam seus pad
Page 83 and 84: Tipos de Dopagem Difusão Térmica
Page 85 and 86: modo de funcionamento. Figura 2.5:
Page 87 and 88: apenas em uma pequena profundidade
Page 89 and 90: impurezas que podem estar no ambien
Page 91 and 92: Figura 2.8: Representação esquem
Page 93 and 94: Etapa II Esta etapa consiste no uso
Page 95 and 96: do substrato. Desta maneira, a impl
Page 97 and 98: tribuição do polímero fotosensí
Page 99 and 100: mais 10 minutos. Na sequência as l
Page 101 and 102: de íons. Em seguida, realizou-se o
Page 103 and 104: para assegurar que todo o TCE utili
Page 105 and 106: 40 segundos a 4000 rpm. Nesta veloc
Page 107 and 108: de uma solução mista de AgNO3 100
Page 109 and 110: Feito esta e após os processos de
Page 111: CAPÍTULO 3 RESULTADOS E DISCUSSÃO
Page 115 and 116: Figura 3.3: Segunda máscara empreg
Page 117 and 118: Figura 3.7: Sexta máscara empregad
Page 119 and 120: Figura 3.9: a) Sobreposição do la
Page 121 and 122: Onde os termos VFB, κ, NA,D, ni co
Page 123 and 124: Tabela 3.1: Características elétr
Page 125 and 126: da lâmina foi realizada proposital
Page 127 and 128: Observando-se os valores destes, ve
Page 129 and 130: É importante destacar que a qualid
Page 131 and 132: Figura 3.14: Imagens de microscopia
Page 133 and 134: Figura 3.15: Morfologia da camada d
Page 135 and 136: O estresse mecânico e a organizaç
Page 137 and 138: Figura 3.17: Imagem de MEV da camad
Page 139 and 140: de nanopartículas de Ag com diâme
Page 141 and 142: propriedades ópticas diferentes da
Page 143 and 144: detecção de macromoléculas biol
Page 145 and 146: Crescimento Dois aspectos important
Page 147 and 148: Nas Figuras 3.24 (a) e (b) são mos
Page 149 and 150: interações de van der Waals e con
Page 151 and 152: Tabela 3.4: Resultados dos coeficie
Page 153 and 154: de transistores. Nas Figuras 3.26 (
Page 155 and 156: Figura 3.27: Curvas de ID xVDS com
Page 157 and 158: Figura 3.29: Curva de ID xVGS com V
Page 159 and 160: é, quanto maior esta, maior mobili
Page 161 and 162: Esta diferença é explicada nos me
Page 163 and 164:
Figura 3.32: Detecção de pH com o
Page 165 and 166:
levar à corrosão e portanto forma
Page 167 and 168:
Figura 3.33: Estrutura molecular de
Page 169 and 170:
característica observada em todas
Page 171 and 172:
comprimento de Debye foi estimado e
Page 173 and 174:
4. CONCLUSÕES • A configuração
Page 175 and 176:
nanoestruturas de Ag e Au, nos quai
Page 177 and 178:
5. TRABALHOS FUTUROS • Como etapa
Page 179 and 180:
Referências Bibliográficas [1] B.
Page 181 and 182:
[14] K. D. Wise, J. B. Angell, A. S
Page 183 and 184:
[31] A. Huczko, Template-based synt
Page 185 and 186:
[45] S. R. Ekanayake, M. B. Cortie,
Page 187 and 188:
[60] F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayd
Page 189 and 190:
[77] T. Fujimoto, S. Terauchi, H. U
Page 191:
[92] A. Poghossian, M. H. Abouzar,
show all

Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?