Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

3. RESULTADOS E DISCUSSÃO
3.1 Layout das Máscaras de Litografia Projetadas
As 7 máscaras de litografia projetadas para a construção dos ISFETs foram escritas
sobre dois substratos de quartzo, sendo quatro delas desenhadas em um e mais três em
outro. As máscaras assim, foram dispostas nestes de modo a formar quatro quadrantes em
um (substrato com 4 máscaras) e três quadrantes em outro (substrato com 3 quadrantes),
onde cada quadrante corresponde a um tipo de máscara, conforme ilustrado na Figura
3.1(a).
Cada máscara foi então dividida em pequenos compartimentos também conhecidos como
”dies”, sendo cada um destes constituído por trêstiposdecélulas contendo transistores de
diferentes dimensões intercelular, mas de mesma dimensão intracelular. As três células são
formadas por transistores de diferentes dimensões de L (largura), isto é, 2, 10 e 50 µm eW
(comprimento) fixo de 50 µm. Assim, dentro de cada célula existem três canais, sendo que
cada um destes apresenta um arranjo de ISFETs de mesmas dimensões dispostos de três em
três horizontalmente. As diferentes dimensões de L destes, variam apenas entre as células
(Figura 3.1(b)). Na células contendo transistores de 2 x 50 µm, cada canal contém 84
transistores, totalizando 252 dispositivos na célula inteira. Enquanto nas células contendo
ISFETs de dimensões 10 x 50 e 50 x 50, L e W respectivamente, os canais contém 78 e
51 dispositivos, totalizando assim 234 e 171 transistores por célula, respectivamente. No
geral, os compartimentos formam nas máscaras uma matriz de 4 x 5, totalizando assim
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