Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

Feito esta e após os processos de pós-cura, as regiões expostas foram corroídas àtem-
peratura ambiente utilizando-se uma solução mista de H3PO4 e HNO3 concentrados na
proporção de 95:5, respectivamente. As lâminas foram imersas e deixadas nesta até que
todo Al exposto fosse removido, este processo foi acompanhado através de um microscópio
óptico. Depois desta, a fotoresina AZ 1350 J foi removida através da limpeza orgânica.
Éválido ressaltar que durante o processo de corrosão, as regiões de porta dos transis-
tores contendo a alumina anódica e nanoestruturas de Ag e Au estavam protegidas com
a fotoresina, assim, não houve dissolução por parte da solução ácida destas conforme
observações no MEV. Cumpridas estas etapas, os transistores estavam prontos para a
caracterização elétrica e primeiros testes com soluçõesdediferentespHsesoluções com
amostras de interesse biológico.
Medidas Elétricas
A caracterização elétrica dos transistores produzidos foi realizada utilizando-se um
Semiconductor characterization system 4200 e um CV analyzer 590 da Keithley, equipado
a um microscópio de alta performance Microzoom II (Cambridge Instruments) e acoplado
a um micromanipulador modelo 600 (MM). As medidas foram executas à temperatura
ambiente na presença de luz. Para as primeiras medidas de líquidos sobre os ISFETs,
soluções de tampão fosfato 20 mmol/L contendo NaCl 100 mmol/L com diferentes valores
de pH foram utilizadas. Estas medidas foram todas também realizadas à temperatura am-
biente. Como amostras de interesse biológico, foram utilizadas soluções de glutationa com
diferentes concentrações. O isolamento dos dispositivos foi realizado com a fotoresina AZ
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