Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

As análises de microscopia das membranas porosas de alumina e das estruturas de
Ag e Au crescidas nestas foram realizadas utilizando-se um microscópio eletrônico de
varredura (MEV) de baixo vácuo (JEOL JSM 6360LV) equipado com um sistema EDS
(Energy-Dispersive Spectrometry, Noran System Six Model 300), disponível no Instituto
de Química da UNICAMP e um microscópio eletrônico de varredura por emissão de campo
(FEG-MEV JSM 6330F) do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS). Todas as
análises foram conduzidas sem recobrimento das superfícies com qualquer tipo de material
condutor normalmente utilizado.
A cristalinidade das estruturas metálicas foi avaliada por difração de raios-x utilizando-
se para tanto um difratômetro DRX 7000 (Shimadzu) com um tubo de raios catódicos com
radiação de Cu Kα com λ = 0,1540 nm. Medidas de reflectância foram feitas utilizando-se
um espectrofotômetro Cary Varian 5G, calibrado com um padrão de BaSO4.
Quinta etapa de litografia: definição das áreas de contato elétrico
Após os procedimentos de anodização e deposição de Ag e Au dentro dos poros da
alumina que recobre a porta dos transistores, a fotoresina AZ 4620 foi removida através do
processo de limpeza orgânica, conforme descrito anteriormente. A etapa seguinte consistiu
na fotogravação e abertura das regiões de contato para a corrosão do alumínio, formação
de contatos metálicos de fonte, dreno e de interconexões metálicas entre os dispositivos
(Figura 2.8(m)). O processo litográfico neste caso foi conduzido sobre as mesmas condições
experimentais das duas primeiras fotogravações, a única excessão foi a máscara utilizada,
aqualfoiaquintamáscara projetada (máscara de campo claro).
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