Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

2.8(k)). Durante esta etapa, a temperatura das anodizações foi controlada em 2 o C através
de um banho termostático Thermo Neslab RTE 7 da digital one. Após as anodizações as
amostras foram lavadas excessivamente com água deionizada e secas ao ar. Previamente
asuaanálise por microscopia, as lâminas anodizadas foram submetidas a um processo de
abertura dos poros da alumina formada. Para tanto, as amostras foram submersas em
H3PO4 0,1 mol/L por tempos e temperaturas determinadas. Em seguida, cada amostra
foi rinsada com água deionizada e após seca ao ar para posterior análise microscópica.
Crescimento de nanoestruturas de Ag e Au dentro dos poros de alumina
Para a síntese de nanoestruturas de Ag e Au, basicamente o processo empregado foi
ométodo de redução galvânica (Figura 2.8(l)). Para tanto, soluções de nitrato de prata
AgNO3 (Cennabras) e AuCl (Strem Chemicals) de diferentes concentrações foram em-
pregadas como material de partida. Como agente redutor, 1,4-dihidroxibenzeno (hidro-
quinona) (Merk) foi utilizada. O crescimento dos respectivos metais dentro dos poros da
alumina que recobriu a porta dos transistores foi realizado separadamente. Em adição, em
alguns dispositivos este crescimento não foi realizado com o intuito de obter-se amostras
controle durante a avaliação dos ISFETs como sensores. Assim, para a síntese de cada tipo
de metal os procedimentos empregados após otimização experimental foram os seguintes:
Síntese de Nanoestruturas de Ag
O processo de redução de Ag consistiu na imersão de algumas lâminas ainda recobertas
com AZ-4620, mas possuindo as regiões de porta agora anodizadas e expostas ao ar, dentro
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