Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

40 segundos a 4000 rpm. Nesta velocidade, verificou-se utilizando-se um perfilômetro
que uma camada de aproximadamente 8 µm dopolímero foi depositada. O processo de
pré-cura foi realizado em chapa de aquecimento a 105 o C por 20 minutos, e após então
aexposição na fotoalinhadora foi conduzida por 70 segundos, onde para tal utilizou-se a
quarta máscara projetada. A revelação foi feita utilizando o revelador AZ 312 MIF diluído
em água na proporção de 3:1, respectivamente.
Anodização do alumínio de porta
Durante a etapa anterior, todas as lâminas foram recobertas com a resina AZ-4620,
ficando expostas apenas as áreas correspondentes a porta dos transistores. Desta forma,
somente o alumínio desta região estará em contato com a solução de anodização e portanto
somente esta parte do dispositivo será anodizada.
Previamente à anodização, as lâminas contendo o AZ-4620 foram submetidas ao processo
de pós-cura, o qual foi realizado em chapa de aquecimento a 110 o C por 20 minutos. Após
esta então, a anodização das regiões de porta dos transistores foi executada removendo-se
com acetona apenas uma pequena parte do AZ-4620 em uma extremidade da lâmina, esta
permitiu com que uma região de contato elétrico fosse aberta. A anodização foi desta
maneira realizada utilizando-se como cátodo uma placa de Pt. Durante a anodização o
cátodo e o ânodo (lâmina de Si) foram polarizados com uma fonte de corrente contínua
construída em nosso laboratório, aplicando-se para tanto uma tensão de 25 V entre os
eletrodos durante 55 seg. e utilizando-se como eletrólito uma solução de ácido sulfúrico
0,5 mol/L, resultando assim em uma camada de óxido de alumínio sobre o SiO2 (Figura
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