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Universidade Estadual de Campinas Instituto de Qu´ımica ...

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Tabela 2.2: Processo <strong>de</strong> recozimento e oxidação úmida a 1000 o C<br />

Ambiente Tempo(min)<br />

N2<br />

5<br />

N2<br />

30<br />

O2<br />

10<br />

O2 +H2O 100<br />

O2<br />

10<br />

N2<br />

10<br />

5<br />

N2<br />

rante o processo <strong>de</strong> oxidação. Durante esta etapa, em cada extremida<strong>de</strong> do tubo contendo<br />

as lâminas foram colocadas as chamadas ”dummy wafers”. Estas lâminas tiveram como<br />

função proteger as <strong>de</strong>mais lâminas do choque direto com o fluxo <strong>de</strong> gás, ocasionando assim<br />

uma melhor uniformida<strong>de</strong> durante a oxidação. Na Figura 2.9 é apresentado um esquema<br />

mostrando o posicionamento das dummy wafers.<br />

Figura 2.9: Ilustração do tubo <strong>de</strong> quartzo contendo as lâminas e as dummy wafers.<br />

Após esta etapa, <strong>de</strong>u-se início ao processo <strong>de</strong> recozimento. Este, iniciou-se injetando<br />

gás N2 no forno durante um tempo <strong>de</strong> 30 minutos. Este procedimento teve a finalida<strong>de</strong><br />

<strong>de</strong> ativar eletricamente os dopantes implantados nas regiões <strong>de</strong> fonte e dreno, bem como<br />

garantir a reconstrução da camada cristalina (eliminação <strong>de</strong> <strong>de</strong>feitos) <strong>de</strong>vido a implantação<br />

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