11.01.2013 Views

Eksamen vår 2003 - Institutt for materialteknologi

Eksamen vår 2003 - Institutt for materialteknologi

Eksamen vår 2003 - Institutt for materialteknologi

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

NORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET Side 1 av 6<br />

INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI<br />

Faglig kontakt under eksamen:<br />

Øystein Grong/Knut Marthinsen<br />

Tlf.:94896/93473<br />

EKSAMEN I EMNE SIK5005 MATERIALTEKNOLOGI 2<br />

Mandag 5. mai <strong>2003</strong><br />

Tid: kl 09.00-13.00<br />

Hjelpemidler: D – Ingen trykte eller håndskrevne hjelpemidler tillatt. Bestemt, enkel<br />

kalkulator tillatt.<br />

Sensurdato: 26. mai <strong>2003</strong><br />

______________________________________________________________________________________<br />

Oppgave 1.<br />

Her skal vi se nærmere på mikrostruktur og egenskaper til Al-Mg legeringer som hører<br />

inn under den såkalte 5XXX serien. Fasediagrammet Al-Mg er vist i Fig. 1.<br />

a) Al-Mg legeringer oppnår deler av sin styrke gjennom såkalt fast løsningsherding.<br />

Forklar nærmere hva som ligger i dette begrepet og spesielt hvor<strong>for</strong> Mg-atomer i<br />

fast løsning bidrar til å gi slike legeringer økt styrke. Bruk skisser og utfyllende<br />

tekst.<br />

Oppgitt: atomradius <strong>for</strong> Al: 1,43Å, atomradius <strong>for</strong> Mg: 1,60Å<br />

Figur 1. Fasediagrammet Al-Mg.


Side 2 av 6<br />

b) Forklar hva som menes med begrepene faser, korn og korngrenser i en<br />

mikrostrukturell sammenheng. Benytt enkle skisser og utfyllende tekst. Med<br />

utgangspunkt i Fig. 1 gi så eksempler på ulike en -og tofaseområder som opptrer i<br />

dette diagrammet.<br />

c) Hvilke <strong>for</strong>utsetninger/betingelser må være oppfylt <strong>for</strong> at mikrostrukturen ved en<br />

gitt temperatur skal kunne avleses direkte fra fasediagrammet? Tilsvarende, når<br />

bør slike diagrammer ikke benyttes? Svarene skal begrunnes.<br />

d) En legering med 5wt% Mg kjøles fra smeltetemperatur (T = 660 o C) og ned til<br />

romtemperatur (RT) under betingelser som hele tiden svarer til likevekt. Du skal<br />

nå beskrive nærmere (vha. tekst og figurer) mikrostrukturen til denne legeringen<br />

slik den vil <strong>for</strong>tone seg i et lysmikroskop etter bråkjøling til RT fra følgende tre<br />

temperaturer: T = 600 o C, T = 450 o C og T = 200 o C. Vis samtidig hvorledes Al -og<br />

Mg atomene som inngår i de ulike fasene er arrangert i hvert enkelt tilfelle (bruk<br />

enkle 2-dimensjonale skisser til å illustrere atomstrukturen).<br />

e) Bruk dernest vektstangregelen til å beregne volumfraksjonen av hver enkelt fase<br />

som opptrer i legeringen ved de tre angitte temperaturer under punkt (d). Hvilken<br />

tilleggs<strong>for</strong>utsetning må være oppfylt <strong>for</strong> at volumfraksjonen skal kunne beregnes<br />

direkte fra fasediagrammet i ovennevnte tilfeller?<br />

f) Tenk deg nå at samme legering varmes langsomt opp igjen inntil smelting<br />

inntreffer. Vil dette påvirke resultatene som du kom frem til under punkt (d) og<br />

(e)? Svaret skal begrunnes.<br />

Oppgave 2.<br />

I denne oppgaven skal vi se nærmere på mikrostrukturen til stål og hvorledes denne i<br />

praksis kan manipuleres ved hjelp av varmebehandling med tanke på å optimalisere de<br />

mekaniske egenskapene.<br />

a) Skisser et typisk TTT (time-temperature-trans<strong>for</strong>mation)-diagram <strong>for</strong> et<br />

eutektoidisk stål.<br />

• angi hvor fasene austenitt, bainitt, perlitt og martensitt befinner seg i<br />

diagrammet<br />

• <strong>for</strong>klar hvordan henholdsvis bainitt, perlitt og martensitt dannes fra austenitt<br />

Skisser videre i diagrammet hvordan du vil varmebehandle <strong>for</strong> å oppnå:<br />

• en finkornet perlittisk struktur<br />

• 50 % bainitt og 50 % martensitt<br />

• 100 % martensitt


Side 3 av 6<br />

b) En hammer av stål med 0,55wt% C er fremstilt ved varmsmiing med påfølgende<br />

varmebehandling. De to hodene har etter varmebehandling en hardhet på 62-63<br />

Rockwell C (som er maksimal hardhet i martensitt med 0,55wt% C), mens<br />

området mellom hodene har en hardhet på ca. 35 Rockwell C. Etter kort tids bruk<br />

oppdager man at en bit av det ene hodet er slått av som vist i Fig. 2.<br />

Spørsmål:<br />

• hvordan kan varmebehandlingen ha <strong>for</strong>egått <strong>for</strong> å oppnå martensitt med<br />

maksimal hardhet i hodene?<br />

• hvor<strong>for</strong> ønsker en å ha en mykere sone mellom hodene?<br />

• hvilken ekstra varmebehandling burde ha vært utført <strong>for</strong> å unngå at biter av<br />

hodet blir slått av ved bruk?<br />

Figur 2. Bilder som viser ødelagt hammer.<br />

c) Hvilke legeringselementer ( i tillegg til silisium, mangan og små mengder<br />

karbon) tilsettes gjerne mikrolegerte stål <strong>for</strong> å gi økt styrke? Hvilke<br />

herdemekanismer er det her som gjør seg gjeldende?<br />

d) Et stål har en flytespenning på 300 MPa og en bruddseighet KIC på 60 MPa m .<br />

Beregn størrelsen på en overflatesprekk som vil føre til et brudd ved en belastning<br />

på 80 % av flytespenningen.<br />

Oppgitt: K = f ⋅σ<br />

⋅ π ⋅ a . Anta f = 1. Anta videre at linær-elastisk<br />

bruddmekanikk kan benyttes (dvs. at uttrykket <strong>for</strong> K er gyldig).


Side 4 av 6<br />

e) En vurderer å bytte ut stålet i deloppgaven over med et høyfast stål <strong>for</strong> å redusere<br />

vekten på konstruksjonen. Dette stålet har en flytespenning på 1460 MPa og en<br />

bruddseighet KIC på 98 MPa m . Anta at det er et krav at størrelsen på den<br />

kritiske overflatesprekken er identisk med det som ble beregnet <strong>for</strong> stålet i<br />

deloppgaven over. Hvor stor del av flytespenningen (uttrykt i %) kan du i praksis<br />

utnytte i dette høyfaste stålet?<br />

Oppgave 3.<br />

Mikrostrukturen har også en avgjørende innvirkning på egenskapene til termoplaster. For<br />

eksempel har polyetylen med kjemisk sammensetning C2H4 både en amorf og en<br />

krystallinsk <strong>for</strong>m, og består ofte av en blanding av disse.<br />

a) Gjør nærmere rede <strong>for</strong> hvorledes krystalliseringsgraden påvirker egenskapene til<br />

polyetylen. Her bør du være mest mulig konkret og gi eksempler på noen viktige<br />

fysikalske og mekaniske egenskaper.<br />

b) Krystallinsk polyetylen har orthorombisk gitterstruktur, med 4 karbonatomer og 8<br />

hydrogenatomer pr. enhetscelle. Skisser på dette grunnlag atomarrangementet og<br />

mikrostrukturen til krystallinsk polyetylen. Skissene skal være ledsaget av<br />

utfyllende tekst.<br />

c)<br />

Beregn tettheten ρ c til krystallinsk polyetylen når gitterparametrene i<br />

enhetscellen er a0 = 0,742nm, b0 = 0,495nm og c0 = 0,255nm.<br />

Oppgitt: molvekt til C: 12g/mol, molvekt til H: 1g/mol<br />

Avogadro’s tall: 6,022 10 23 atomer/mol<br />

d) En gitt komponent av polyetylen skal ha en tetthet ρ som ligger mellom<br />

920kg/m 3 og 950kg/m 3 . Innen<strong>for</strong> hvilke grenser må da krystalliseringsgraden<br />

(uttrykt i %) variere <strong>for</strong> at dette kravet skal være oppfylt? Tettheten til amorf<br />

polyetylen ρa er 870kg/m 3 .<br />

e) For å oppnå den tilsiktede krystalliseringsgrad og tetthet i polyetylen må spesielle<br />

grunn<strong>for</strong>utsetninger være oppfylt. Diskuterer på et mer generelt grunnlag hvilke<br />

faktorer som påvirker krystalliseringsgraden i termoplaster. Stikkord i denne<br />

sammenheng er krystallstruktur, avkjølingshastighet, varmebehandling,<br />

polymerisasjonsgrad, de<strong>for</strong>masjon etc.


Side 5 av 6<br />

Oppgave 4.<br />

I materialvitenskap skiller man ofte mellom strukturelle materialer, dvs. materialer <strong>for</strong><br />

konstruksjons<strong>for</strong>mål og såkalte funksjonelle materialer hvor man utnytter materialenes<br />

elektriske, magnetiske og/eller optiske egenskaper. Vi skal i denne oppgaven ta <strong>for</strong> oss en<br />

viktig klasse av slike materialer, nemlig halvledermaterialer, og diskutere ulike aspekter<br />

ved disse. Relevante fysikalske data er gitt i Tabell 1.<br />

(a) Vi skal først ta <strong>for</strong> oss rent (udopet) silisium og diskutere silisium’s instrinsikke<br />

ledningsegenskaper. Fra Tabell 1 ser vi at rent silisium ved romtemperatur har en<br />

svært lav ledningsevne sammenlignet med f.eks kopper (Cu). Gjør rede <strong>for</strong><br />

årsaken til dette.<br />

(b) Ledningsegenskapene <strong>for</strong> silisium kan <strong>for</strong>bedres betraktelig ved å tilsette en liten<br />

mengde fremmedatomer, dvs. ved å gjøre silisium til en såkalte ekstrinsikk<br />

halvleder.<br />

Den heltrukne linjen i Fig. 3 neden<strong>for</strong> viser elektronkonsentrasjonen i<br />

ledningsbåndet som funksjon av temperatur <strong>for</strong> et silisium-materiale som er dopet<br />

med et Gruppe VA element tilsvarende 10 21 atomer/m 3 . (Til sammenligning viser<br />

den stiplede linjen det tilsvarende antall elektroner i ledningsbåndet i høyrent<br />

silisium). Er dette en p- eller n-type halvleder? Begrunn svaret.<br />

Figur 3. Grafisk fremstilling av elektronkonsentrasjonen i ledningsbåndet som<br />

funksjon av temperaturen <strong>for</strong> to ulike kvaliteter av silisium dopet med et<br />

Gruppe VA element.


Side 6 av 6<br />

Gjør rede <strong>for</strong> denne temperaturavhengigheten i elektronkonsentrasjonen og <strong>for</strong> de<br />

ulike stadiene i den heltrukne kurven.<br />

(c) Med basis i Fig. 3 beregn ledningsevnen til dette materialet i temperaturområdet<br />

fra –100 til +200 0 C, dvs. i det området hvor ledningsevnen er konstant og<br />

temperaturuavhengig.<br />

I praksis kan man bruke den elektriske ledningsevnen til å anslå konsentrasjonen<br />

av dope-elementer. Hvilken atomfraksjon av dopematerialet tilsvarer det dopenivå<br />

som er benyttet her?<br />

Det oppgis at silisium har diamantstruktur (8 atomer per enhetscelle) og en<br />

gitterkonstant a = 5,4307 Å.<br />

(d) Hvor<strong>for</strong> er det slik at de fleste metaller og halvledere er ugjennomsiktige, mens<br />

glass, mange høy-rene krystallinske keramiske materialer og polymermaterialer er<br />

gjennomsiktige?<br />

(e) Halvledermaterialer kan utnyttes <strong>for</strong> å lage halvlederkomponenter med ulike<br />

funksjoner i elektriske kretser. En av de enkleste halvlederkomponenter er en<br />

såkalt p-n overgang (p-n junction). Gjør kort rede <strong>for</strong> strøm-spennings<br />

karakteristikken <strong>for</strong> en p-n overgang og dermed hvordan en slik komponent kan<br />

brukes som en likeretter i en elektrisk krets.<br />

Oppgitt:<br />

k = 1,38 10 -23 J/K<br />

q = 1,6 10 -19 C<br />

1 eV = 1,6 10 -19 J<br />

⎛ Eg<br />

⎞<br />

σ = n q +<br />

⎜<br />

⎜−<br />

⎟<br />

0 ( μ e μ h ) exp<br />

⎝ 2kT<br />

⎠<br />

Tabell 1 Elektronisk struktur og elektrisk ledningsevne <strong>for</strong> Gruppe IVA elementer<br />

ved 25 o C.<br />

Metall Elektronisk<br />

Struktur<br />

C (diamant) 1s 2 2s 2 2p 2<br />

Si 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3<br />

p 2<br />

Elektrisk<br />

ledningsevne<br />

(Ω -1 m -1 )<br />

< 10 -16<br />

5 x 10 -4<br />

Energi gap<br />

(Eg)<br />

(eV)<br />

Elektron<br />

mobilitet(μe)<br />

(m 2 V -1 s -1 )<br />

5,4 0,18 0,14<br />

1,11 0,19 0,05<br />

Ge ………..4s 2 4p 2 2,0 0,67 0,38 0,18<br />

Sn ……... 5s 2 5p 2<br />

9,0 10 6<br />

0,25 0,25 0,24<br />

Hull<br />

mobilitet (μh)<br />

(m 2 V -1 s -1 )

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!