7. del Arne Rodahl, Forskellige kabinettyper og ... - System Audio
7. del Arne Rodahl, Forskellige kabinettyper og ... - System Audio 7. del Arne Rodahl, Forskellige kabinettyper og ... - System Audio
3. Del - kabinetkonstruktioner Signalement af højttalerenheder velegnet til basreflekssystemer. Visuelle kendetegn: Stor magnet. Relativt stift membranophæng for at undgå alt for store kabinetter. Resonansfrekvens spiller ikke helt samme rolle som ved trykkammersystemet, idet der er flere muligheder til at styre den nedre afskæring ved kombinationer mellem enhed, kabinet og port. Basenhedens Qt bør være ca. 0,2 – 0,5. Basenhedens EBP til basreflekssystem: 100 – 149 Inputs til beregninger i LAB 3 T/S parametre for basenhed: •Resonansfrekvens (fs) •Ækvivalentvolumen (Vas) •Totale Q (Qt) •Fyldningsgrader af dæmpevat: ca. 10 – 50 %. •Portens diameter (Ø) eller areal (cm2)
3. Del - kabinetkonstruktioner Teoretiske eksperimenter med basreflekssystem på computeren med LAB 3 programmet. Basreflekssystem : Beregninger og simuleringer Med basreflekssystemet kan der eksempelvis foretages eksperimenter med kabinettets rumfang, portafstemning, dæmpevat samt baffelmål. Systemet er følsomt overfor fejlberegninger, men her computeren kommer til hjælp, når korrektioner skal foretages. Man skal være opmærksom på, at ændringer af rumfanget samtidig medfører ændringer af portafstemningen. Ændres kabinetrumfanget beregner programmet automatisk den optimale portafstemning ved en ændring af portens længde. Brugervejledning LAB 3 Planche nr. 22, Dias nr. 79 Klik på ”Box Design” i programmets værktøjslinie. Klik på ”Simulator Settings”. Klik på ”New Box Design” Blå felter: Betingede valg og forudsætninger. Simuleringsomåder: ”SPL” - ”Port SPL” - ”Cone + Port SPL” Kabinetsystem ”Vented”. Andre simuleringsmuligheder: ”Acoustic Phase” ”Group Delay” ”Cone Excursion & Group Delay” ”SPL & Phase” ”Cone Velocity” ”Impedance” ”Vent Velocity” ”Electric Phase” ”Cone & Vent Velocity” ”Impedance & Phase” ”Xmax Limited SPL” ”SPL & Impedance” ”Impulse Response” ”SPL & Excursion” ”Step response” ”Cone SPL” ”Cone Excursion” Enhedens Thiele / Small parametre Qts, Vas og Fs er betingede ved udførsel af alle beregninger og simuleringer. Brug evt. EBP-nøglen. Se Del 2, Dias nr. 58 og 59, ”Valg af højttalerenheder”. Obs! Nogle enheder kan anvendes til både trykkammer og basrefleks. Enheder uden angivelse af de tre parametre kan udmåles med LAB 3. Se 6. Del, Dias nr. 130, målinger, ”Thiele/Small parametre”. Thiele / Small parametrene indsættes i ”Quick T/S” eller hentes fra biblioteket ”Select lib.”,der tillige kan suppleres med flere enheder.
- Page 1 and 2: 3. Del Kabinetkonstruktioner Denne
- Page 3 and 4: 3. Del - kabinetkonstruktioner Eksp
- Page 5 and 6: 3. Del - kabinetkonstruktioner Bere
- Page 7 and 8: 3. Del - kabinetkonstruktioner Tryk
- Page 9 and 10: 3. Del - kabinetkonstruktioner Teor
- Page 11 and 12: 3. Del - kabinetkonstruktioner Teor
- Page 13 and 14: 3. Del - kabinetkonstruktioner Plan
- Page 15 and 16: 3. Del - kabinetkonstruktioner Plan
- Page 17: 3. Del - kabinetkonstruktioner Plan
- Page 21 and 22: 3. Del - kabinetkonstruktioner Rød
- Page 23 and 24: 3. Del - kabinetkonstruktioner Plan
- Page 25 and 26: 3. Del - kabinetkonstruktioner Bån
- Page 27 and 28: 3. Del - kabinetkonstruktioner Plan
- Page 29 and 30: 3. Del - kabinetkonstruktioner Plan
- Page 31 and 32: 3. Del - kabinetkonstruktioner Plan
- Page 33 and 34: 3. Del - kabinetkonstruktioner JBL
- Page 35 and 36: 3. Del - kabinetkonstruktioner Prak
- Page 37 and 38: 3. Del - kabinetkonstruktioner Prak
3. Del - kabinetkonstruktioner<br />
Signalement af højttalerenheder velegnet til basreflekssystemer.<br />
Visuelle kendetegn: Stor magnet. Relativt stift membranophæng for at undgå alt for store kabinetter.<br />
Resonansfrekvens spiller ikke helt samme rolle som ved trykkammersystemet, idet der er flere muligheder til at styre den nedre afskæring ved<br />
kombinationer mellem enhed, kabinet <strong>og</strong> port.<br />
Basenhedens Qt bør være ca. 0,2 – 0,5.<br />
Basenhedens EBP til basreflekssystem: 100 – 149<br />
Inputs til beregninger i LAB 3<br />
T/S parametre for basenhed:<br />
•Resonansfrekvens (fs)<br />
•Ækvivalentvolumen (Vas)<br />
•Totale Q (Qt)<br />
•Fyldningsgrader af dæmpevat: ca. 10 – 50 %.<br />
•Portens diameter (Ø) eller areal (cm2)
Change language