Листа на стоки и технологии со двојна употреба

3C3C001МатеријалиХетероепитаксијални материјали што се состојат од „подлога“ заповеќеслоен епитаксијален раст и кои имаат што било одследново:a. Силициум (Si);b. Германиум (Ge);c. Силициум карбид (SiC); илиd. „III/V соединенија“ на галуим или на индиум.3C002Отпорни материјали и „подлоги“ обложени со контролираниотпорни материјали:a. Позитивен отпорник посебно изработен за полупроводничкалитографија за употреба на бранови должини под 245 nm;b. Сите отпорници изработени за употреба со електронски илијонски снопови со чувствителност од 0,01 μcoulomb/mm 2 , илиподобра;c. Сите отпорници изработени за употреба со рендгенски зрацисо чувствителност од 2,5 mJ/mm 2 , или подобра;d. Сите отпорници оптимизирани за технологија на површинскаслика, вклучувајќи ‘силиконски’ отпорници;Техничка забелешка:Техниките на ‘силиконизирање’ се дефинирани како процеси навградување оксидирани површински отпорници за да сеподобрат перформансите на процесите во влажен и сув развој.е. Сите отпорници кои се проектирани или оптимизирани заупотреба со литогрфска опрема за отисоци која е наведена во3B001.f.2. која користи или термален процес или процес нафотообработка.3C003Органско-неоргански соединенија, како што следува:a. Органско-метални соединенија на алуминиум, галиум илииндиум кои имаат чистота (метална основа) поголема од 99,999%;209