Листа на стоки и технологии со двојна употреба
Листа на стоки и технологии со двојна употреба
Листа на стоки и технологии со двојна употреба
- No tags were found...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
сноп, јонск<strong>и</strong> споп <strong>и</strong>л<strong>и</strong> „ласерск<strong>и</strong>“ сноп; <strong>и</strong>b. Која <strong>и</strong>ма ко<strong>и</strong> б<strong>и</strong>ло од следн<strong>и</strong>ве о<strong>со</strong>б<strong>и</strong>н<strong>и</strong>:1. Голем<strong>и</strong><strong>на</strong>та <strong>на</strong> точката е помала од 0,2 μm;2. Има можност за про<strong>и</strong>зводство <strong>на</strong> шаблон ч<strong>и</strong>јаголем<strong>и</strong><strong>на</strong> е помала од 1 µm; <strong>и</strong>л<strong>и</strong>3. Прец<strong>и</strong>зноста <strong>на</strong> <strong>и</strong>зработка <strong>на</strong> горн<strong>и</strong>от слој е подобраод ± 0,20 µm (3 с<strong>и</strong>гма);g. Маск<strong>и</strong> <strong>и</strong> мреж<strong>и</strong> проект<strong>и</strong>ран<strong>и</strong> за <strong>и</strong>нтегралн<strong>и</strong> кола <strong>на</strong>веден<strong>и</strong> во3A001;h. Повеќеслојн<strong>и</strong> маск<strong>и</strong> <strong>со</strong> меѓусклопно фазно пр<strong>и</strong>дв<strong>и</strong>жување;Напоме<strong>на</strong>: 3B001.h. не контролора повеќеслојн<strong>и</strong> маск<strong>и</strong> <strong>со</strong>меѓусклопно фазно пр<strong>и</strong>дв<strong>и</strong>жување проект<strong>и</strong>ран<strong>и</strong> запро<strong>и</strong>зводство <strong>на</strong> мемор<strong>и</strong>ск<strong>и</strong> уред<strong>и</strong> што не секонтрол<strong>и</strong>раат во 3A001.i. Л<strong>и</strong>тографск<strong>и</strong> обрасц<strong>и</strong> за от<strong>и</strong><strong>со</strong>ц<strong>и</strong> проект<strong>и</strong>ран<strong>и</strong> за <strong>и</strong>нтегралн<strong>и</strong>кола <strong>на</strong>веден<strong>и</strong> во 3A001.3B002Опрема за <strong>и</strong>сп<strong>и</strong>тување посебно проект<strong>и</strong>ра<strong>на</strong> за <strong>и</strong>сп<strong>и</strong>тување <strong>на</strong>завршен<strong>и</strong> <strong>и</strong>л<strong>и</strong> незавршен<strong>и</strong> полупроводн<strong>и</strong>чк<strong>и</strong> уред<strong>и</strong> како штоследува <strong>и</strong> посебно проект<strong>и</strong>ран<strong>и</strong> нејз<strong>и</strong>н<strong>и</strong> <strong>со</strong>ставн<strong>и</strong> делов<strong>и</strong> <strong>и</strong> пр<strong>и</strong>бор:a. За <strong>и</strong>сп<strong>и</strong>тување Ѕ-параметр<strong>и</strong> <strong>на</strong> транз<strong>и</strong>сторск<strong>и</strong> кола <strong>на</strong>фреквенц<strong>и</strong><strong>и</strong> <strong>на</strong>д 31,8 GHz;b. Не се кор<strong>и</strong>ст<strong>и</strong>;c. За <strong>и</strong>сп<strong>и</strong>тување <strong>на</strong> м<strong>и</strong>кробранов<strong>и</strong>дн<strong>и</strong> <strong>и</strong>нтегралн<strong>и</strong> кола<strong>на</strong>веден<strong>и</strong> во 3A001.b.2.208
Change language