Листа на стоки и технологии со двојна употреба
Листа на стоки и технологии со двојна употреба Листа на стоки и технологии со двојна употреба
помала од 10 % 3σ измерена без ширината на работ од 2 mmили помала;d. Опрема со хемиско таложење од гасна фаза (CVD) засилено соплазма како што следува:1. Опрема која работи на принципот касета наспроти касета иполнење-блокирање и која е проектирана во согласност соспецификациите на производителот или е оптимизираназа употреба во производството на полупроводнички уредисо критични димензии од 65 nm или помали;2. Опрема посебно проектиранa за опрема контролирана во3B001.e. и проектирана согласно со спецификациите напроизводителот или е оптимизирана за употреба вопроизводството на полупроводнички уреди со критичнидимензии од 65 nm или помали;e. Системи за обработка на автоматско полнење наповеќекоморна централна плочка, кои ги имаат сите следниособини:1. Имаат интерфејси за влез и излез на плочка, кон која сепроектирани да се приклучат повеќе од две функционалноразлични „полупроводливи процесни алатки’ определениво 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c., или 3B001.d.; и2. Проектирани се на начин на кој формираат интеграленсистем во вакуумска средина за ‘последователнаповеќекратна обработка на плочката’;Забелешка: 3B001.e. не контролира автоматски роботичкисистеми за ракување со плочка посебнопроектирани за паралелна обработка на плочката.Технички забелешки:1. За целите на 3B001.e., ‘полупроводливи процесни алатки’ сеоднесува на модуларни алатки кои обезбедуваат физичкипроцеси за производство на полупроводници кои сефункциоално различни, како на пример депозиција,гравирање, имплант или термална обработка.2. За целите на 3B001.e., ‘последователната повеќекратнаобработка на плочка’ е способноста за обработка на секојаплочка во различни “полупроводливи процесни алатки’, какона пример со пренесување на секоја плочка од една алатка до206
втората алатка и на третата алатка со автоматско полнење нацентралните системи за ракување со плочка со повеќекомотри.f. Опрема за литографија, како што следува:1. Опрема за порамнување и фаза на експозиција иповторување (директна фаза на плочката), или чекор искенирање, со користење фотооптички методи илирендгенски зраци и има кои било од следниве особини:a. Извор на светлина со бранова должина пократка од 245nm; илиb. Можност за призводство на шаблон со ‘минимумразрешена карактеристика’ (MRF) со големина од 95 nmили помала;Техничка збелешка:Големината на ‘минимум разрешена карактеристика’ (MRF)се пресметува според следнава формула:( бранова должина на изворот на изложувачка светлина)× ( фактор К)МРФ =нумерички отворкаде фактор K = 0,352. Литографска опрема за отисок способна за производствона карактеристики од 95 nm или помалку;Забелешка: 3B001.f.2. опфаќа:— Микроконтактни алатки за печатењеТопли алатки за релјеф— Литографски алатки за нано-отисоци— Чекори и инструменти за блиц Литографскопечатење (S-FIL)3. Опрема посебно проектирана за изработка на маски или заобработка на полупроводнички уреди со употреба наметоди на пишување, кои ги имаат следниве особини:a. Со користење на отстапка на фокусиран електрони207
- Page 156 and 157: попречна (тангенци
- Page 158 and 159: 2D2D0012D002Софтвер„Соф
- Page 160 and 161: 3. Притисок;c. „Дире
- Page 162 and 163: ТабелаТехники на т
- Page 164 and 165: B.2. Физичко таложењ
- Page 166 and 167: E. Таложење на смеса
- Page 168 and 169: повеќекратна употр
- Page 170 and 171: а. Хемиско таложење
- Page 172 and 173: d. Распрскување пла
- Page 174 and 175: 3AСистеми, опрема и
- Page 176 and 177: копроцесори.4. Не се
- Page 178 and 179: (максимална сигнал
- Page 180 and 181: a. Повеќе од 1,500 терм
- Page 182 and 183: особини:а. Режим на
- Page 184 and 185: широчина на опсего
- Page 186 and 187: 2. ‘Времето на уклу
- Page 188 and 189: употребуваат меѓус
- Page 190 and 191: Напомена:ВИДЕТЕ ИС
- Page 192 and 193: вредност во исклуч
- Page 194 and 195: конфигурирани за с
- Page 196 and 197: фреквенцијата која
- Page 198 and 199: . Долготрајна стаби
- Page 200 and 201: Технички забелешка
- Page 202 and 203: различни од оние оп
- Page 204 and 205: . Масивни спектомет
- Page 208 and 209: сноп, јонски споп и
- Page 210 and 211: . Органски соединен
- Page 212 and 213: 3E3E001Технологија„Т
- Page 214 and 215: 31,8 GHz или повисоки.3E
- Page 216 and 217: Забелешка1: Компјут
- Page 218 and 219: компјутери“ или со
- Page 220 and 221: 4A102„Хибридни компј
- Page 222 and 223: 4CМатеријалиНема.222
- Page 224 and 225: 4EТехнологија4E001 а.
- Page 226 and 227: Забелешка 1: За проц
- Page 228 and 229: ДЕЛ 1ТЕЛЕКОМУНИКАЦ
- Page 230 and 231: фреквенција“, разл
- Page 232 and 233: поголема; и2. Способ
- Page 234 and 235: 5B15B001Опрема за испи
- Page 236 and 237: 5D15D001Софтвер„Софтв
- Page 238 and 239: интерфејс, измерен
- Page 240 and 241: за „развојот“ или
- Page 242 and 243: едно од следново:1.
- Page 244 and 245: алгоритмот се засн
- Page 246 and 247: идентификација; и3.
- Page 248 and 249: 5B2Опрема за испитув
- Page 250 and 251: 5D25D002Софтвер„Софтв
- Page 252 and 253: КАТЕГОРИЈА 6СЕНЗОР
- Page 254 and 255: 1. Движење на акусти
помала од 10 % 3σ <strong>и</strong>змере<strong>на</strong> без ш<strong>и</strong>р<strong>и</strong><strong>на</strong>та <strong>на</strong> работ од 2 mm<strong>и</strong>л<strong>и</strong> помала;d. Опрема <strong>со</strong> хем<strong>и</strong>ско таложење од гас<strong>на</strong> фаза (CVD) зас<strong>и</strong>лено <strong>со</strong>плазма како што следува:1. Опрема која работ<strong>и</strong> <strong>на</strong> пр<strong>и</strong>нц<strong>и</strong>пот касета <strong>на</strong>спрот<strong>и</strong> касета <strong>и</strong>полнење-блок<strong>и</strong>рање <strong>и</strong> која е проект<strong>и</strong>ра<strong>на</strong> во <strong>со</strong>гласност <strong>со</strong>спец<strong>и</strong>ф<strong>и</strong>кац<strong>и</strong><strong>и</strong>те <strong>на</strong> про<strong>и</strong>звод<strong>и</strong>телот <strong>и</strong>л<strong>и</strong> е опт<strong>и</strong>м<strong>и</strong>з<strong>и</strong>ра<strong>на</strong>за <strong>употреба</strong> во про<strong>и</strong>зводството <strong>на</strong> полупроводн<strong>и</strong>чк<strong>и</strong> уред<strong>и</strong><strong>со</strong> кр<strong>и</strong>т<strong>и</strong>чн<strong>и</strong> д<strong>и</strong>менз<strong>и</strong><strong>и</strong> од 65 nm <strong>и</strong>л<strong>и</strong> помал<strong>и</strong>;2. Опрема посебно проект<strong>и</strong>ранa за опрема контрол<strong>и</strong>ра<strong>на</strong> во3B001.e. <strong>и</strong> проект<strong>и</strong>ра<strong>на</strong> <strong>со</strong>гласно <strong>со</strong> спец<strong>и</strong>ф<strong>и</strong>кац<strong>и</strong><strong>и</strong>те <strong>на</strong>про<strong>и</strong>звод<strong>и</strong>телот <strong>и</strong>л<strong>и</strong> е опт<strong>и</strong>м<strong>и</strong>з<strong>и</strong>ра<strong>на</strong> за <strong>употреба</strong> вопро<strong>и</strong>зводството <strong>на</strong> полупроводн<strong>и</strong>чк<strong>и</strong> уред<strong>и</strong> <strong>со</strong> кр<strong>и</strong>т<strong>и</strong>чн<strong>и</strong>д<strong>и</strong>менз<strong>и</strong><strong>и</strong> од 65 nm <strong>и</strong>л<strong>и</strong> помал<strong>и</strong>;e. С<strong>и</strong>стем<strong>и</strong> за обработка <strong>на</strong> автоматско полнење <strong>на</strong>повеќекомор<strong>на</strong> централ<strong>на</strong> плочка, ко<strong>и</strong> г<strong>и</strong> <strong>и</strong>маат с<strong>и</strong>те следн<strong>и</strong>о<strong>со</strong>б<strong>и</strong>н<strong>и</strong>:1. Имаат <strong>и</strong>нтерфејс<strong>и</strong> за влез <strong>и</strong> <strong>и</strong>злез <strong>на</strong> плочка, кон која сепроект<strong>и</strong>ран<strong>и</strong> да се пр<strong>и</strong>клучат повеќе од две функц<strong>и</strong>о<strong>на</strong>лноразл<strong>и</strong>чн<strong>и</strong> „полупроводл<strong>и</strong>в<strong>и</strong> процесн<strong>и</strong> алатк<strong>и</strong>’ определен<strong>и</strong>во 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c., <strong>и</strong>л<strong>и</strong> 3B001.d.; <strong>и</strong>2. Проект<strong>и</strong>ран<strong>и</strong> се <strong>на</strong> <strong>на</strong>ч<strong>и</strong>н <strong>на</strong> кој форм<strong>и</strong>раат <strong>и</strong>нтеграленс<strong>и</strong>стем во вакуумска сред<strong>и</strong><strong>на</strong> за ‘последовател<strong>на</strong>повеќекрат<strong>на</strong> обработка <strong>на</strong> плочката’;Забелешка: 3B001.e. не контрол<strong>и</strong>ра автоматск<strong>и</strong> робот<strong>и</strong>чк<strong>и</strong>с<strong>и</strong>стем<strong>и</strong> за ракување <strong>со</strong> плочка посебнопроект<strong>и</strong>ран<strong>и</strong> за паралел<strong>на</strong> обработка <strong>на</strong> плочката.Техн<strong>и</strong>чк<strong>и</strong> забелешк<strong>и</strong>:1. За цел<strong>и</strong>те <strong>на</strong> 3B001.e., ‘полупроводл<strong>и</strong>в<strong>и</strong> процесн<strong>и</strong> алатк<strong>и</strong>’ сеоднесува <strong>на</strong> модуларн<strong>и</strong> алатк<strong>и</strong> ко<strong>и</strong> обезбедуваат ф<strong>и</strong>з<strong>и</strong>чк<strong>и</strong>процес<strong>и</strong> за про<strong>и</strong>зводство <strong>на</strong> полупроводн<strong>и</strong>ц<strong>и</strong> ко<strong>и</strong> сефункц<strong>и</strong>оално разл<strong>и</strong>чн<strong>и</strong>, како <strong>на</strong> пр<strong>и</strong>мер депоз<strong>и</strong>ц<strong>и</strong>ја,грав<strong>и</strong>рање, <strong>и</strong>мплант <strong>и</strong>л<strong>и</strong> термал<strong>на</strong> обработка.2. За цел<strong>и</strong>те <strong>на</strong> 3B001.e., ‘последовател<strong>на</strong>та повеќекрат<strong>на</strong>обработка <strong>на</strong> плочка’ е спо<strong>со</strong>бноста за обработка <strong>на</strong> секојаплочка во разл<strong>и</strong>чн<strong>и</strong> “полупроводл<strong>и</strong>в<strong>и</strong> процесн<strong>и</strong> алатк<strong>и</strong>’, како<strong>на</strong> пр<strong>и</strong>мер <strong>со</strong> пренесување <strong>на</strong> секоја плочка од ед<strong>на</strong> алатка до206