ＳｉＣパワートランジスタ向け高温バーンインチャンバー - エスペック

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24.08.2013 Views

対象デバイス SiCパワートランジスタ向け高温バーンインチャンバーパワー半導体向け型式: 型式:RBC RBC-HH HHHシリーズ Hシリーズ -SiC トランジスタをはじめとしたパワー半導体- 特長・用途近年注目を集めているSiC(シリコンカーバイド)半導体は、バンドギャップが従来のSi半導体に比べて3倍と広く、絶縁破壊にいたる電界強度が10倍程度大きい優れた特性を持ち、熱伝導性,耐熱性,耐薬品性に優れ,放射線に対する耐性もSi半導体より高いという特徴を持っています。こうした特徴より,従来のSi半導体より小型,低消費電力,高効率のパワー素子, 高周波素子,耐放射線性に優れた半導体素子として、電力,輸送,家電,宇宙, 原子力,最近では,ハイブリッド自動車用の半導体向けに応用が期待されています。 SiCパワートランジスタ向け高温バーンインチャンバーは、SiC(シリコンカーバイド)半導体をはじめとした、新材料を用いたパワー半導体の研究開発・信頼性評価・スクリーニングにおいて、最高400℃までの高温環境下にて試験を行える専用チャンバーです。本チャンバーは、スタティックバーンイン、ダイナミックバーンイン、モニタバーンインへのシステムアップが容易に行えます。また温度範囲、試験数量など目的・用途に応じ、豊富なラインナップの中から最適なシステムを構築することが出来ます。 3つの温度水準に対応 1つのキャビネットには独立した3つのオーブン(最高400℃)を備えています。オーブン毎に異なる温度条件で評価を行えます。 1つのオーブンにはDUTボードが8枚実装出来ます。高温400℃の高精度オーブン試験温度は400℃を実現し、350℃において分布は±2.5℃の高精度を発揮します。高信頼性バーンインボードを開発 400℃の高温環境下での耐熱性・耐久性を供えた信頼性の高いバーンインボードとソケットを開発しました。ボードとソケットの接続部が確実に固定できる二重コンタクト構造(特許出願中)とし、さらにデバイスとソケットとの接続も確実に行えるエスペック独自の工夫をしています。ピンアサインスクランブル機能 エスペックのバーンインボードはピンアサインスクランブル機能によりピンアサインが異なるDUTに対しても評価することができます。これによりバーンインボードのコスト削減が出来ます。 1.1 3.25 バンド幅(eV) 11.8 9.7 比誘電率 1.51 4.9 熱伝導度(Wc/mK) 1500 1140 電子の移動度(cm2/Vs) 0.3 3.0 絶縁破壊電界強度(MV/cm) SiC 材料 Si SiCとSiの特性の比較関連ページ → パワーデバイス http://www.espec.co.jp/products/market/auto/power.html http://www.espec.co.jp/products/market/new/power.html

対象デバイス

SiCパワートランジスタ向け高温バーンインチャンバー

パワー半導体向け

型式:

型式:RBC

RBC-HH

HHHシリーズ

Hシリーズ

-SiC トランジスタをはじめとしたパワー半導体-

特長・用途

近年注目を集めているSiC(シリコンカーバイド)半導体は、バンドギャップが

従来のSi半導体に比べて3倍と広く、絶縁破壊にいたる電界強度が10倍程度

大きい優れた特性を持ち、熱伝導性,耐熱性,耐薬品性に優れ,放射線に

対する耐性もSi半導体より高いという特徴を持っています。

こうした特徴より,従来のSi半導体より小型,低消費電力,高効率のパワー

素子,

高周波素子,耐放射線性に優れた半導体素子として、電力,輸送,家電,宇

宙,

原子力,最近では,ハイブリッド自動車用の半導体向けに応用が期待されて

います。

SiCパワートランジスタ向け高温バーンインチャン

バーは、SiC(シリコンカーバイド)半導体をはじめとした、新材

料を用いたパワー半導体の研究開発・信頼性評価・スクリーニ

ングにおいて、最高400℃までの高温環境下にて試験を行える

専用チャンバーです。

本チャンバーは、スタティックバーンイン、ダイナミックバーンイン、

モニタバーンインへのシステムアップが容易に行えます。

また温度範囲、試験数量など目的・用途に応じ、豊富なライン

ナップの中から最適なシステムを構築することが出来ます。

3つの温度水準に対応

1つのキャビネットには独立した3つのオーブン(最高400℃)を備えています。オーブン毎に異なる温度条件で評価

を行えます。

1つのオーブンにはDUTボードが8枚実装出来ます。

高温400℃の高精度オーブン

試験温度は400℃を実現し、350℃において分布は±2.5℃の高精度を発揮します。

高信頼性バーンインボードを開発

400℃の高温環境下での耐熱性・耐久性を供えた信頼性の高いバーンインボードとソケットを開発しました。

ボードとソケットの接続部が確実に固定できる二重コンタクト構造(特許出願中)とし、さらにデバイスとソケットとの接

続も確実に行えるエスペック独自の工夫をしています。

ピンアサインスクランブル機能

エスペックのバーンインボードはピンアサインスクランブル機能によりピンアサインが異なるDUTに対しても評価する

ことができます。

これによりバーンインボードのコスト削減が出来ます。

1.1

3.25

バンド幅(eV)

11.8

9.7

比誘電率

1.51

4.9

熱伝導度(Wc/mK)

1500

1140

電子の移動度(cm2/Vs)

0.3

3.0

絶縁破壊電界強度(MV/cm)

SiC

材料 Si

SiCとSiの特性の比較

関連ページ → パワーデバイス http://www.espec.co.jp/products/market/auto/power.html

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システムアップ事例

仕様

型式温度範囲

温度分布

ボード収納枚数

外観

RBC-HHH

DUT電源、ドライバーボードなどをシステムアップすることにより、スタティックバーンイン、ダ

イナミックバーンイン、モニタバーンインへのシステムアップが出来ます。

+65℃~+40

+65 ~+40

0℃

±2.5 2.5℃

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高温チャンバー

24枚

試験数量によりキャビネットは1オーブン、2

オーブン、3オーブンから選択出来ます。

エージングバーンイン評価装置スクリーニング温度特性ストレス印加環境試験エレクトロマイグレーション評価マイグレーション評価電流印加定電流ボイド

ヒーロック断線評価ウィスカ絶縁破壊絶縁評価クラックはんだクラック微小抵抗交流測定バンプ評価電流密度はんだバンプパワーデバイス評価ヒート

ショックサーマルショック熱衝撃急速温度サイクル温度ストレス温度変化冷熱衝撃試験温湿度試験加速試験 HAST プレッシャクッカーバスタブカーブワ

関連ページイブル分布 →ワイブルプロットパワーデバイス信頼性曲線 http://www.espec.co.jp/products/market/auto/power.html

シュミレーション高発熱デバイス半導体評価パッケージ評価

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