Tesi di MASTER in - surfacetreatments.it

Una volta caricato il precursore il procedimento di sintesi è il seguente:Si realizza il vuoto da lavoro all’interno del reattoreSi scalda attraverso la muffola il precursore ad una temperatura in cui le velocità di evaporazionesiano significativeIl precursore in fase vapore risale verso l’alto a seguito dei moti convettivi e dei gradienti diconcentrazione descritti nel capitolo 5.Si riscalda il substrato attraverso il dito a contatto con la spira ad una temperatura maggiore diquella della muffola.La superficie calda del substrato funge da sito attivo termicamente attivato su cui avviene unchemisorbimento dei vapori del precursore, con conseguente reazione chimica di decomposizionedel precursore e formazione del deposito.5.4.Valutazioni del sistema L.P.C.V.D.Come si può vedere l’apparato è molto semplice anche se richiede intrinsecamente alcunecondizioni non banali:o Il precursore deve presentare buona volatilità per poter raggiungere e creare ilrivestimento con le velocità di crescita tipiche dei sistemi C.V.D. classici anche senza lapresenza di gas carrier.o Il sistema in realtà non deposita solamente sul substrato ma anche su tutte quellezone che presentano una temperatura sufficientemente alta per farlo: la superficie rivoltaverso l’alto, il supporto di acciaio, le pareti del dito e dello Schlenk prossime allaresistenza, etc. In questo senso il tipo di reattore utilizzato è un po’ una mezza via tra ireattori a cold walls (vedi cap.4) (se consideriamo la parte alta del sistema in prossimitàdelle tubazioni da vuoto) e quelli hot walls (se consideriamo la parte bassa del sistema incui tutte le pareti vengono scaldate per irragiamento. Definirei quindi questo sistemacome un Hybride hot walls.