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in regime di alto vuoto (≈10 -5 ÷10 -6 mbar)senza gas di trasportoprecursore single source5.2.Struttura del sistemaIl sistema utilizzato per realizzare la deposizione consta dei seguenti componenti1. Sistema da vuoto consistente in una pompa primaria rotativa ed una secondaria diffusiva perraggiungere i 10 -5 ÷ 10 -6 mbar, più tutta la strumentazione per la misura del vuoto (Pirani edun Penning) e le connessioni opportunamente dimensionate per non aver cadute dipressione.2. Un reattore Schlenk in vetro di silice ove riporre sul fondo il precursore3. Un tappo cavo in quarzo a tenuta detto “dito” da infilare sulla sommità del reattore Schlenk4. Un filo di tungsteno spiralizzato ed inserito all’interno della parte cava del “dito”collegatoad un alimentatore che funge da fonte termica per effetto joule5. Un supporto in acciaio per il substrato da applicare all’estremità inferiore del dito6. Un substrato su cui depositare il film (sono stati utilizzati substrati di quarzo e zaffiro)7. Una muffola in cui introdurre verticalmente l’estremità inferiore del reattore Schlenk inmodo da realizzare, via scambio termico, l’evaporazione del precursore contenuto sul fondodel suddetto reattore.Di seguito viene riportata un’immagine dell’apparato utilizzato durante le deposizioni (Fig.5.1), undettaglio relativo al reattore utilizzato (Fig.5.2.) ed un dettaglio del sistema da vuoto (Fig.53.)
4-Resistenzain tugstenoAlimentatoredella resistenza3-Dito cavoin quarzo2-ReattoreSchlenk6- Muffola6-MuffolaFig.5.1.: Apparato utilizzato durante le deposizioni
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