Tesi di MASTER in - surfacetreatments.it
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Fig.45.3. Tipica <strong>di</strong>pendenza della veloc<strong>it</strong>à <strong>di</strong> cresc<strong>it</strong>a dalla temperatura del substrato <strong>in</strong> un processo CVDUna volta raggiunta la temperatura T 0 la c<strong>in</strong>etica del processo <strong>di</strong>venta poco sensibile a variazioni <strong>di</strong>temperatura (tratto II) e la veloc<strong>it</strong>à <strong>di</strong> deposizione si assesta ad un valore pressoché costante; è ilcaso <strong>di</strong> reazioni controllate dalla <strong>di</strong>ffusione o dalla veloc<strong>it</strong>à <strong>di</strong> rifornimento del precursore.Per temperature superiori a quella cr<strong>it</strong>ica T c , si ha una riduzione della veloc<strong>it</strong>à <strong>di</strong> cresc<strong>it</strong>a causata dauna <strong>di</strong>m<strong>in</strong>uzione della concentrazione <strong>di</strong> reagente (dovuta alla formazione <strong>di</strong> particelle <strong>in</strong> fase gas)o dal rapido desorbimento dei reagenti dalla superficie, prima che avvenga la reazione.4.7. Lo strato lim<strong>it</strong>eIl comportamento del gas quando entra nel reattore può essere adeguatamente descr<strong>it</strong>to utilizzandola meccanica dei flui<strong>di</strong>. Usando il numero <strong>di</strong> Reynolds ( R e ) ( parametro a<strong>di</strong>mensionale checaratterizza il flusso dei flui<strong>di</strong> ), si può descrivere il comportamento del flusso del gas all’<strong>in</strong>ternodel reattore CVD da quello lam<strong>in</strong>are quando la pressione è moderatamente bassa ( cent<strong>in</strong>aia <strong>di</strong>Pascal ) a quello turbolento quando la pressione aumenta.Lo strato lim<strong>it</strong>e per def<strong>in</strong>izione è la regione, <strong>in</strong> cui la veloc<strong>it</strong>à del flusso varia da un valore nullosulla parete, ad un valore non <strong>in</strong>fluenzato dalle <strong>in</strong>terazioni con la parete stessa ( fig.4.4. ).