Tesi di MASTER in - surfacetreatments.it

Fig.45.3. Tipica dipendenza della velocità di crescita dalla temperatura del substrato in un processo CVDUna volta raggiunta la temperatura T 0 la cinetica del processo diventa poco sensibile a variazioni ditemperatura (tratto II) e la velocità di deposizione si assesta ad un valore pressoché costante; è ilcaso di reazioni controllate dalla diffusione o dalla velocità di rifornimento del precursore.Per temperature superiori a quella critica T c , si ha una riduzione della velocità di crescita causata dauna diminuzione della concentrazione di reagente (dovuta alla formazione di particelle in fase gas)o dal rapido desorbimento dei reagenti dalla superficie, prima che avvenga la reazione.4.7. Lo strato limiteIl comportamento del gas quando entra nel reattore può essere adeguatamente descritto utilizzandola meccanica dei fluidi. Usando il numero di Reynolds ( R e ) ( parametro adimensionale checaratterizza il flusso dei fluidi ), si può descrivere il comportamento del flusso del gas all’internodel reattore CVD da quello laminare quando la pressione è moderatamente bassa ( centinaia diPascal ) a quello turbolento quando la pressione aumenta.Lo strato limite per definizione è la regione, in cui la velocità del flusso varia da un valore nullosulla parete, ad un valore non influenzato dalle interazioni con la parete stessa ( fig.4.4. ).