Tesi di MASTER in - surfacetreatments.it

Fig.44.In un processo controllato dallo stadio relativo alla reazione alla superficie, la velocità dideposizione dipende dalla temperatura del substrato, al contrario di quanto accade nei due casirimanenti .Qualora la temperatura della superficie non sia sufficientemente elevata (fig.4.3. tratto I) non si avràla completa decomposizione delle specie reattive e la velocità di crescita aumenta in manieraesponenziale con la temperatura secondo una legge di tipo Arrhenius:⎛ -E A ⎞⎜ ⎟⎠⎝ RTv = A e[4.1.]dove E A è l’energia d’attivazione apparente per la reazione, R è la costante dei gas, T è latemperatura assoluta e A rappresenta il fattore frequenza. In questo regime si possono, quindi,ottenere film di spessore uniforme minimizzando le variazioni di temperatura.La figura 4.3., di seguito riportata, illustra la dipendenza della velocità di deposizione dallatemperatura del substrato.