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4.6.Cinetica e meccanismi di trasporto di massa del processo CVDIn questo processo uno o più precursori volatili vengono condotti in fase vapore, normalmenteattraverso l’utilizzo di un opportuno gas di trasporto (ad es. azoto od argon), nel reattore dove,venendo in contatto con il substrato, portano alla formazione di un film solido con allontanamentodei sottoprodotti volatili [Pierson(1992)].La fluidodinamica di questo processo risulta particolarmente complessa a causa di numerosi fattoritra i quali: variazioni di pressione e volume cui è soggetta la miscela di gas prima di raggiungere lacamera di reazione; la reazione chimica, implicando un cambiamento di stato (in questo caso daquello gassoso a quello solido) è eterogenea anche se in alcuni casi la reazione può decorrere in fasegas prima ancora che la superficie del substrato venga raggiunta.Il processo può essere suddiviso insette stadi rappresentati in figura 4.1.:1Direzione principale del flusso 8Uscita237Superficie456Fig.4.1. Rappresentazione schematica degli stadi coinvolti in un processo CVDStadio 1) Flusso dei gas reagenti verso la camera di reazioneStadio 2) Per effetto della temperatura il precursore viene” attivato”Stadio 3) Diffusione delle molecole attraverso lo strato limiteStadio 4) Le molecole che giungono al substrato vengono adsorbite sulla superficie dellostessoStadio 5) Reazione del precursore sul substratoStadio 6) Nucleazione e crescita del film