Tesi di MASTER in - surfacetreatments.it
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nell’amb<strong>it</strong>o <strong>di</strong> questa tecnica, possono superare i 900°C. Il metodo è usualmente adottato per ladeposizione <strong>di</strong> film metallici e <strong>di</strong> ossi<strong>di</strong>.4.4. Plasma Enhanced CVDL’attivazione <strong>di</strong> un processo CVD può essere condotta anche me<strong>di</strong>ante scariche elettriche cheport<strong>in</strong>o alla formazione <strong>di</strong> un plasma ovvero una miscela <strong>di</strong> ioni, elettroni, e specie neutre <strong>in</strong> statisia fondamentali che ecc<strong>it</strong>ati; generalmente la produzione <strong>di</strong> plasmi per PE-CVD avvienesottoponendo un gas a bassa pressione ad una scarica elettrica, sostenuta da una tensione applicataagli elettro<strong>di</strong> presenti nel reattore. Nella s<strong>it</strong>uazione più comune, l’energia elettrica forn<strong>it</strong>a èalternata, tipicamente nel campo delle ra<strong>di</strong>ofrequenze (RF) e delle microonde (MW).L’utilizzo <strong>di</strong> questo metodo garantisce un buon potere coprente del supporto ma soprattutto,consente un notevole abbassamento delle temperature del substrato. Tale metodo è il più complessoda controllare a causa delle molteplici variabili che l’utilizzo ed il mantenimento dello stato <strong>di</strong>plasma comporta. Questo lavoro <strong>di</strong> tesi riporta dati <strong>di</strong> films nanostrutturati realizzati proprio conquesta tecnica. Tutti i dati che sono stati r<strong>it</strong>enuti utili per una più chiara comprensione delfunzionamento <strong>di</strong> questa tecnologia sono riportati nel cap<strong>it</strong>olo due.4.5. Photochemical CVDIn questa particolare tecnica, la reazione chimica viene attivata me<strong>di</strong>ante l’utilizzo <strong>di</strong> ra<strong>di</strong>azioneelettromagnetica. È possibile <strong>di</strong>st<strong>in</strong>guere nell’amb<strong>it</strong>o <strong>di</strong> questa metodologia due possibili variantiche prendono il nome <strong>di</strong> Photoassisted e Photol<strong>it</strong>ic CVD.Nella prima, altrimenti detta, Laser-CVD (LCVD) tram<strong>it</strong>e un fascio laser altamente focalizzato siproduce la decomposizione del precursore; i migliori risultati vengono ottenuti utilizzando unasorgente laser ad una lunghezza d’onda cui si verifichi assorbimento sia del substrato che del film <strong>in</strong>cresc<strong>it</strong>a. Questa tecnica permette <strong>di</strong> condurre la deposizione a temperature relativamente basse e <strong>di</strong>prevenire, <strong>in</strong> questo modo, il danneggiamento <strong>di</strong> strutture particolarmente sensibili; un altrovantaggio è la possibil<strong>it</strong>à <strong>di</strong> lim<strong>it</strong>are, date le proprietà del laser, il riscaldamento del substrato aregioni ristrette m<strong>in</strong>imizzando eventuali fenomeni <strong>di</strong> stress termico e la degradazione del substrato.Nella Photol<strong>it</strong>ic-CVD l’attivazione del processo tram<strong>it</strong>e ra<strong>di</strong>azione elettromagnetica avvieneattraverso la formazione <strong>di</strong> specie ra<strong>di</strong>caliche altamente reattive che portano alla formazione delfilm. Ovviamente, è con<strong>di</strong>zione necessaria che i precursori utilizzati <strong>in</strong> questo tipo <strong>di</strong> applicazionepresent<strong>in</strong>o un forte assorbimento nel visibile o nell’UV.