Tesi di MASTER in - surfacetreatments.it
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I pr<strong>in</strong>cipali svantaggi derivano, <strong>in</strong>vece, dalla scarsa <strong>di</strong>sponibil<strong>it</strong>à a livello commerciale <strong>di</strong> opportunicomposti precursori e dal loro elevato costo. Inoltre la grande versatil<strong>it</strong>à e l’elevato numero <strong>di</strong>parametri <strong>in</strong> gioco oltre che cost<strong>it</strong>uire, come già detto, una preziosa caratteristica del metodo,comporta però alcuni problemi <strong>di</strong> riproducibil<strong>it</strong>à nelle con<strong>di</strong>zioni sperimentali. Saranno, qu<strong>in</strong><strong>di</strong>,<strong>di</strong>fficilmente preve<strong>di</strong>bili a priori le con<strong>di</strong>zioni ideali <strong>di</strong> deposizione <strong>di</strong> un dato materiale chedovranno essere determ<strong>in</strong>ate caso per caso.4.2.Le tecniche CVDLe reazioni chimiche usate <strong>in</strong> CVD sono molte ed <strong>in</strong>cludono: decomposizioni, riduzioni,ossidazioni, carburazioni, n<strong>it</strong>rurazioni, idrolisi, ecc.. Esse possono avvenire s<strong>in</strong>golarmente od <strong>in</strong>comb<strong>in</strong>azione e possono essere attivate <strong>in</strong> mo<strong>di</strong> <strong>di</strong>versi.I più rilevanti sono:Attivazione termica, che si realizza ad alte temperature sebbene la temperatura possa essereridotta considerevolmente utilizzando precursori metallorganici (MOCVD).Attivazione con ra<strong>di</strong>azioni elettromagnetiche (foto e laser CVD ), a temperature <strong>in</strong>feriori delcorrispondente processo termicoAttivazione via plasma, ( RF, MW etc. ) può essere fatta a basse temperature consentendol’utilizzo <strong>di</strong> substrati basso fondenti e <strong>di</strong> precursori termicamente sensibili <strong>in</strong>utilizzabil<strong>in</strong>elle altre tipologie <strong>di</strong> deposizione.Le tre metodologie d’attivazione vengono <strong>di</strong>scusse più <strong>in</strong> dettaglio nei paragrafi seguenti.4.3.Thermal CVDIn questa tecnica, la più tra<strong>di</strong>zionale, la reazione viene <strong>in</strong>dotta tram<strong>it</strong>e il rifornimento <strong>di</strong> energiatermica con modal<strong>it</strong>à <strong>di</strong>fferenti, a seconda del tipo <strong>di</strong> processo <strong>di</strong> deposizione e della forma,<strong>di</strong>mensioni e composizione del substrato.Il riscaldamento <strong>di</strong> quest’ ultimo può essere ottenuto me<strong>di</strong>ante l’utilizzo <strong>di</strong> una semplice resistenzaelettrica oppure tram<strong>it</strong>e un <strong>di</strong>spos<strong>it</strong>ivo RF o con l’impiego <strong>di</strong> fotoni ad alta <strong>in</strong>tens<strong>it</strong>à generati dalampade a filamento <strong>di</strong> tungsteno e lampade <strong>di</strong> quarzo allo io<strong>di</strong>o. Le temperature richieste,