Tesi di MASTER in - surfacetreatments.it
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4.1.PremessaLa deposizione per via chimica da fase vapore (o Chemical Vapor Depos<strong>it</strong>ion, CVD) è un processo<strong>in</strong> cui uno o più precursori, presenti <strong>in</strong> fase gassosa, reagiscono chimicamente su una superficie,portando alla formazione <strong>di</strong> un film solido.Tale metodologia consente <strong>di</strong> lavorare secondo l’approccio “bottom up” realizzando filmsnanostrutturati attraverso <strong>in</strong>terazioni <strong>di</strong> nanoclusters [Yamada(1998)]; durante la deposizionevengono utilizzate le molecole precursori come veri e propri buil<strong>di</strong>ng blocks consentendo larealizzazione dell’attualissima ed affasc<strong>in</strong>ante molecular engeneer<strong>in</strong>g [Haberland(1995), Alivisatos(2001)].Grazie a questa meto<strong>di</strong>ca <strong>di</strong> tipo prettamente chimico si rende possibile la realizzazione <strong>di</strong> qualsiasidepos<strong>it</strong>o <strong>di</strong> tipo metallico e non, come per esempio i carburi, n<strong>it</strong>ruri, ossi<strong>di</strong> vari con le conseguentiapplicazioni <strong>in</strong>dustriali. Le sue applicazioni sono oggi molteplici e variano dall’optoelettronica dellefibre ottiche (strati riflettenti, conduttori trasparenti), all’elettronica avanzata dei semiconduttori, aisuperconduttori, alla sensoristica (film <strong>di</strong> ossi<strong>di</strong>, semplici e misti), alla catalisi, allabiocompatibil<strong>it</strong>à, alle nanomacch<strong>in</strong>e e films nanometrici utilizzati come <strong>in</strong>teressanti rivestimentiprotettivi per applicazioni aerospaziali. L’elevato numero <strong>di</strong> parametri <strong>di</strong> processo conferisce alCVD una notevole versatil<strong>it</strong>à, permettendo <strong>di</strong> modulare <strong>in</strong> maniera estremamente f<strong>in</strong>e lecaratteristiche dello strato sottile ottenuto.Inoltre, numerosi sono i vantaggi rispetto ad altri processi convenzionali <strong>di</strong> s<strong>in</strong>tesi <strong>di</strong> strati sottili etra questi è opportuno ricordare:(1) La possibil<strong>it</strong>à <strong>di</strong> ricoprire, con alte veloc<strong>it</strong>à <strong>di</strong> deposizione e <strong>in</strong> modo omogeneo, substrati <strong>di</strong>qualsiasi forma e <strong>di</strong>mensione, nonché <strong>di</strong> realizzare deposizioni selettive <strong>in</strong> zonepreferenziali della superficie <strong>di</strong> cresc<strong>it</strong>a;(2) L’impiego <strong>di</strong> con<strong>di</strong>zioni <strong>di</strong> processo soft e <strong>di</strong> temperature <strong>di</strong> deposizione relativamentebasse, che lim<strong>it</strong>ano il danneggiamento del supporto ed i fenomeni <strong>di</strong> <strong>in</strong>ter<strong>di</strong>ffusione filmsubstrato,permettendo <strong>di</strong> realizzare sistemi eterogenei con <strong>in</strong>terfacce relativamente nette;(3) La formazione <strong>di</strong> film ad elevata purezza, per l’assenza <strong>di</strong> sostanze estranee (solventi, ioni,etc.), che potrebbero <strong>in</strong>ficiare la purezza del materiale ed alterarne le proprietà;(4) La possibil<strong>it</strong>à <strong>in</strong> campo <strong>in</strong>dustriale per deposizioni su larga scala, resa possibile dagliapparati strumentali relativamente semplici e poco costosi.