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La Membrana Eccitabile E Basi Neurofisiologiche - Progettoatena.It

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Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Sorgenti di Biopotenziali<br />

• Un esempio di cellula eccitabile: <strong>La</strong> cellula muscolare<br />

cardiaca<br />

3Na + 2K + Na + Na +<br />

+ +<br />

K + Cl + -<br />

- - ++<br />

-<br />

K + Na + - Na +<br />

K + Cl - +<br />

+<br />

- Cl -<br />

A - K<br />

- + Cl - A<br />

-<br />

-<br />

+<br />

Na + + - A - - +<br />

+ +<br />

Na +<br />

+ +<br />

Na +<br />

Potenziale a riposo<br />

-80 mV<br />

Lezione 2 2


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Sorgenti di Biopotenziali<br />

• Cellula muscolare cardiaca (ventricolare)<br />

- Rappresentazione qualitativa della polarizzazione di membrana<br />

V[mV]<br />

20<br />

2<br />

0<br />

-100<br />

1<br />

-50 Soglia<br />

Ca. 0.3 s<br />

3<br />

1. depolarizzazione<br />

2. plateau<br />

3. ripolarizzazione<br />

Lezione 2 3<br />

t [s]


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Sorgenti di Biopotenziali<br />

Potenziale a riposo<br />

• Le cellule eccitabili mantengono una ddp tra l’interno e l’ambiente<br />

esterno compresa tra –50 e –100 millivolt.<br />

• Nei neuroni l’interno è separato dall’esterno da una membrana di<br />

bassissimo spessore (70 - 150 Angstrom -> alta capacità, ~<br />

1µF/cm 2 ) impermeabile alle proteine e ad altri anioni organici (A - ).<br />

• <strong>La</strong> permeabilità a riposo della membrana agli ioni potassio è circa<br />

50-100 volte superiore a quella agli ioni sodio. Gli ioni potassio e<br />

gli ioni cloro attraversano quasi liberamente la membrana, mentre<br />

gli ioni sodio vengono confinati all’esterno da canali tensionedipendenti<br />

e tempo-dipendenti e dalla pompa sodio-potassio<br />

attraverso un processo è attivo e richiede fornitura di energia<br />

(ATP-ADP).<br />

Lezione 2 4


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

V[mV]<br />

20<br />

0<br />

1<br />

2<br />

3<br />

t [s]<br />

Polarizzazione di membrana<br />

Potenziale di riposo<br />

-100<br />

E’ principalmente dovuto alla componente Potassio<br />

E<br />

RT<br />

nF<br />

[ K]<br />

[ K]<br />

o<br />

o<br />

ln 0.0615log ( V )<br />

10<br />

[ K]<br />

[ K]<br />

= =<br />

k<br />

E<br />

=<br />

RT<br />

F<br />

⎧P[<br />

K]<br />

k<br />

ln⎨<br />

⎩ P[<br />

K]<br />

k<br />

i<br />

Equazione di Nernst<br />

n è la valenza del K +<br />

Le concentrazioni sono in moli/litro, T=37 o C<br />

o<br />

i<br />

+ P<br />

+ P<br />

Na<br />

Na<br />

[ Na]<br />

[ Na]<br />

o<br />

i<br />

i<br />

+ P [ Cl]<br />

Cl<br />

+ P [ Cl]<br />

Cl<br />

i<br />

o<br />

⎫<br />

⎬<br />

⎭<br />

Equazione di Goldman (1943) e Hodgkin e Katz (1949)<br />

P i rappresenta la permeabilità della membrana alla specie i (cm/s)<br />

<strong>La</strong> corrente netta attraverso la membrana si ritiene nulla e il campo elettrico costante<br />

Lezione 2 5


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Esempio<br />

Muscolo scheletrico della rana (T ~ 20 o C)<br />

Concentrazione Ioni intracellulare extracellulare permeabilità<br />

(millimoli/litro)<br />

cm/s<br />

Na + 12 145 2x10 -8<br />

K + 155 4 2x10 -6<br />

Cl - 4 120 4x10 -6<br />

E<br />

=<br />

⎧ P (4) + P (145) + P (4) ⎫<br />

Na<br />

Cl<br />

0.0581⋅<br />

log<br />

85.<br />

10⎨<br />

⎬ = −<br />

⎩P<br />

(155) + P (12) + P (120)<br />

k<br />

Na<br />

Cl ⎭<br />

k<br />

3<br />

mV<br />

Lezione 2 6


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Potenziale d’azione<br />

• Lo stato attivo della cellula eccitabile è quello in cui si ingenera<br />

il potenziale d’azione<br />

• L’attivazione richiede uno stimolo adeguato cioè qualcosa che<br />

provochi la depolarizzazione della membrana al di sopra di una<br />

specifica soglia oltre la quale la depolarizzazione procede<br />

autoalimentandosi<br />

• la generazione del potenziale d’azione<br />

dipende dalla permeabilità tempo e tensione<br />

dipendenti della membrana cellulare<br />

• l’effetto della depolarizzazione include:<br />

- incremento della permeabilità di membrana<br />

alla specie Na + (aumenta la conduttanza per<br />

Na + )<br />

- gli Na + si precipitano dentro la cellula<br />

contribuendo ad incrementare la<br />

depolarizzazione e la permeabilità alla specie<br />

Na + (autorigenerazione)<br />

Lezione 2 7<br />

V[mV]<br />

20<br />

0<br />

-50<br />

-100<br />

1<br />

Soglia<br />

2<br />

3<br />

t [s]


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

V[mV]<br />

20<br />

0<br />

1<br />

2<br />

3<br />

t [s]<br />

Polarizzazione di membrana<br />

Stato attivo (depolarizzazione)<br />

-100<br />

Principalmente dovuto alla componente Na di Nernst<br />

(g Na<br />

incrementa con la tensione e superata la soglia crea un processo autorigenerativo)<br />

E<br />

RT<br />

nF<br />

[ Na]<br />

[ Na]<br />

o<br />

o<br />

ln = 0.0615log ≈ +<br />

10<br />

[ Na]<br />

[ Na]<br />

=<br />

60<br />

Na<br />

i<br />

i<br />

mV<br />

<strong>La</strong> depolarizzazione non raggiunge E Na poiché g Na dipende anche dal<br />

tempo e g K incrementa, in ritardo rispetto a g Na creando un effetto<br />

iperpolarizzante (il potassio esce riducendo il potenziale interno)<br />

Lezione 2 8


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Polarizzazione di membrana<br />

Stato attivo (depolarizzazione)<br />

mV<br />

+50<br />

g(mS/cm 2 )<br />

30<br />

V m<br />

E Na<br />

-80<br />

T=18.5 o C (fibra nervosa del calamaro)<br />

(andamento qualitativo dal modello<br />

di membrana di Hodgkin e Huxley)<br />

+20<br />

g Na<br />

g K<br />

0<br />

iperpolarizzazione<br />

-60<br />

E K<br />

assoluta<br />

relativa<br />

refrattarietà<br />

(limita la fmax a1Khz nel nervo)<br />

0 1 2 3 4 ms<br />

Lezione 2 9


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Polarizzazione di membrana<br />

Modello di Hodgkin e Huxley (1952)<br />

Circuito equivalente di un segmento di lunghezza infinitesima ∆z di membrana<br />

E o<br />

(z)<br />

r o (∆z/2)<br />

esterno<br />

i m<br />

r o (∆z/2)<br />

E o<br />

(z+∆z)<br />

membrana<br />

C m ∆z<br />

V m<br />

1/g Na ∆z 1/g K ∆z 1/g a ∆z<br />

g(v,t)<br />

(altre specie)<br />

E i<br />

(z) r i (∆z/2)<br />

E Na E K E a<br />

interno<br />

∆z<br />

r i (∆z/2) E i<br />

(z+∆z)<br />

Lezione 2 10


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Correnti bioelettriche<br />

Regione<br />

attiva<br />

I m2<br />

I e<br />

I i<br />

I m1<br />

- - - - ++++<br />

++++ - - - -<br />

Φ 2 Φ 1<br />

Direzione di propagazione<br />

I i =-(1/r i )(δΦ i /δz)<br />

(per cavo monodimensionale)<br />

I m =I c +I ion<br />

I c =C m δV m /δt<br />

I ion =I K +I Na +I Ca<br />

I K =g k (V m -E K )<br />

I Na =g Na (V m -E Na )<br />

I A =g A (V m -E A )<br />

g x =f (V m ,t)<br />

r i =R/l (resistenza specifica)<br />

Lezione 2 11


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

I e<br />

Correnti bioelettriche<br />

Propagazione del potenziale d’azione<br />

I m2<br />

Φ 2<br />

V m2<br />

I i<br />

I m1<br />

Φ 1<br />

V m1<br />

t 1 z 2 z 1 z 0<br />

Φ<br />

Φ(z 1 ) incrementa ed eccita la membrana<br />

I e<br />

I m1<br />

I m0<br />

V m1<br />

V m0<br />

propagazione<br />

t 2 In refrattarietà Φ 1 I i<br />

Φ 0<br />

Lezione 2 12


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Correnti bioelettriche<br />

z 2 z 1 t<br />

z 0<br />

Φ<br />

Si raggiunge la soglia<br />

e si eccita la sezione<br />

successiva<br />

Il potenziale non si attenua, ma viene rigenerato<br />

Lezione 2 13


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Fibre mielinizzate<br />

isolamento<br />

Nodi di Ranvier<br />

(concentrazione di canali)<br />

Conduzione saltatoria<br />

Bassa capacità e conduzione passiva tra i nodi<br />

Lezione 2 14


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Potenziale extracellulare<br />

Φ(t,x,y,z)?<br />

Il problema è ricavare il potenziale in un punto qualunque del<br />

volume conduttore circostante la cellula (lettura degli elettrodi)<br />

Lezione 2 15


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Potenziale extracellulare<br />

Corrente specifica attraverso la membrana (i m , A/cm 2 )<br />

(Plonsey e Barr 1988)<br />

I<br />

=<br />

1<br />

2πar<br />

i<br />

∂<br />

⋅<br />

2<br />

Φ ( z)<br />

i<br />

2<br />

∂ z<br />

1<br />

2πar<br />

m 2<br />

≈<br />

i<br />

2<br />

∂ V<br />

⋅<br />

∂<br />

m<br />

( z)<br />

z<br />

r i è la resistenza specifica interna (Ω/cm); a è il raggio della fibra; |Φ i |>|Φ o |~0<br />

I e<br />

I m2<br />

I m1<br />

V m2<br />

V m1<br />

Per la conservazione della carica, la variazione di<br />

Φ 2 I Φ i 1 corrente tra z 1<br />

e z 2<br />

è pari alla corrente attraverso la<br />

z 2 z membrana (ricordiamo che I=-(1/r)(δΦ/δz))<br />

1 i i i<br />

Se il mezzo esterno si può considerare resistivo e costante, il<br />

potenziale extracellulare è proporzionale alla derivata parziale<br />

seconda del potenziale di membrana rispetto a z<br />

Lezione 2 16


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Potenziale extracellulare<br />

0<br />

z=ut<br />

-90 mV<br />

V m (monofasico)<br />

Derivata prima (bifasica)<br />

Derivata seconda (trifasica) rilevata agli elettrodi<br />

Lezione 2 17


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Potenziale extracellulare<br />

Considerando in prima approssimazione una velocità di<br />

propagazione costante per il potenziale d’azione, è<br />

possibile scambiare la variabile indipendente tra tempo<br />

e spazio (z=ut con u=velocità di propagazione)<br />

V m2<br />

V m1<br />

z 2 z 1 z 0<br />

V m1 (ut 1 )=V m2 (ut 2 ) u(t 1 -t 2 )=z 1 -z 2 t 1 >t 2<br />

Lezione 2 18


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Potenziale extracellulare<br />

V m2<br />

V m1<br />

V<br />

z 2<br />

z 1<br />

z 0<br />

V m (t;z 2 )<br />

V m (t;z 1 )<br />

V<br />

t 2 t 1 t 0<br />

t<br />

V m (z;t 2 )<br />

V m (z;t 1 )<br />

z 2 z 1 z 0<br />

z=ut<br />

Lezione 2 19


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Φ<br />

Potenziale extracellulare<br />

Dipendenza da r (Rosenfalck 1969)<br />

2<br />

2<br />

2<br />

+∞<br />

a σ ( ∂ Φ ∂z'<br />

) t<br />

i<br />

i<br />

0<br />

r,<br />

z;<br />

t ) =<br />

dz'<br />

0 ∫<br />

2<br />

4σ<br />

−∞ r + ( z'<br />

−z)<br />

(<br />

o<br />

2<br />

0<br />

Φ o (r,z;t 0 )<br />

σ i e σ o in S/cm (conduttanze specifiche)<br />

r<br />

Ipotesi:<br />

• Simmetria assiale e σ note<br />

• Volume conduttore infinito<br />

• Velocità di conduzione costante<br />

• |Φ o (z)|


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Potenziale extracellulare<br />

Φ<br />

In funzione del tempo<br />

2<br />

2<br />

2<br />

+∞<br />

a σ ( ∂ Φ ∂z'<br />

) z<br />

i<br />

i<br />

0<br />

r,<br />

t;<br />

z ) = u<br />

dt'<br />

0 ∫<br />

2<br />

4σ<br />

−∞ r + ( u ⋅ ( t'<br />

−t))<br />

(<br />

o<br />

2<br />

0<br />

Φ o (r,t;z 0 )<br />

r<br />

a<br />

Φ i<br />

Dove si è posto z=ut (dz=udt) con<br />

u=velocità di propagazione<br />

(ipotizzata costante)<br />

ut<br />

ut’<br />

udt’<br />

Lezione 2 21


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Velocità di propagazione<br />

Può essere approssimata da:<br />

(Plonsey e Barr 1988)<br />

u<br />

≈<br />

Ka<br />

2<br />

R i<br />

K dipende dalla membrana, a è il raggio della<br />

fibra, R i la resistenza specifica del mezzo<br />

intracellulare e la resistenza extracellulare si<br />

ipotizza relativamente bassa<br />

Varia da 0.01 m/s a più di 10 m/s<br />

Lezione 2 22


Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />

Campo magnetico<br />

I e<br />

I m2<br />

V m2<br />

V m1<br />

Φ 2 I i<br />

Φ 1<br />

I m1<br />

B<br />

∇ × H = − j +<br />

∂B<br />

∇ × E = −<br />

∂t<br />

B = µ H<br />

D = k E<br />

ε 0<br />

∂D<br />

∂t<br />

Lezione 2 23

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