La Membrana Eccitabile E Basi Neurofisiologiche - Progettoatena.It
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Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Sorgenti di Biopotenziali<br />
• Un esempio di cellula eccitabile: <strong>La</strong> cellula muscolare<br />
cardiaca<br />
3Na + 2K + Na + Na +<br />
+ +<br />
K + Cl + -<br />
- - ++<br />
-<br />
K + Na + - Na +<br />
K + Cl - +<br />
+<br />
- Cl -<br />
A - K<br />
- + Cl - A<br />
-<br />
-<br />
+<br />
Na + + - A - - +<br />
+ +<br />
Na +<br />
+ +<br />
Na +<br />
Potenziale a riposo<br />
-80 mV<br />
Lezione 2 2
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Sorgenti di Biopotenziali<br />
• Cellula muscolare cardiaca (ventricolare)<br />
- Rappresentazione qualitativa della polarizzazione di membrana<br />
V[mV]<br />
20<br />
2<br />
0<br />
-100<br />
1<br />
-50 Soglia<br />
Ca. 0.3 s<br />
3<br />
1. depolarizzazione<br />
2. plateau<br />
3. ripolarizzazione<br />
Lezione 2 3<br />
t [s]
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Sorgenti di Biopotenziali<br />
Potenziale a riposo<br />
• Le cellule eccitabili mantengono una ddp tra l’interno e l’ambiente<br />
esterno compresa tra –50 e –100 millivolt.<br />
• Nei neuroni l’interno è separato dall’esterno da una membrana di<br />
bassissimo spessore (70 - 150 Angstrom -> alta capacità, ~<br />
1µF/cm 2 ) impermeabile alle proteine e ad altri anioni organici (A - ).<br />
• <strong>La</strong> permeabilità a riposo della membrana agli ioni potassio è circa<br />
50-100 volte superiore a quella agli ioni sodio. Gli ioni potassio e<br />
gli ioni cloro attraversano quasi liberamente la membrana, mentre<br />
gli ioni sodio vengono confinati all’esterno da canali tensionedipendenti<br />
e tempo-dipendenti e dalla pompa sodio-potassio<br />
attraverso un processo è attivo e richiede fornitura di energia<br />
(ATP-ADP).<br />
Lezione 2 4
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
V[mV]<br />
20<br />
0<br />
1<br />
2<br />
3<br />
t [s]<br />
Polarizzazione di membrana<br />
Potenziale di riposo<br />
-100<br />
E’ principalmente dovuto alla componente Potassio<br />
E<br />
RT<br />
nF<br />
[ K]<br />
[ K]<br />
o<br />
o<br />
ln 0.0615log ( V )<br />
10<br />
[ K]<br />
[ K]<br />
= =<br />
k<br />
E<br />
=<br />
RT<br />
F<br />
⎧P[<br />
K]<br />
k<br />
ln⎨<br />
⎩ P[<br />
K]<br />
k<br />
i<br />
Equazione di Nernst<br />
n è la valenza del K +<br />
Le concentrazioni sono in moli/litro, T=37 o C<br />
o<br />
i<br />
+ P<br />
+ P<br />
Na<br />
Na<br />
[ Na]<br />
[ Na]<br />
o<br />
i<br />
i<br />
+ P [ Cl]<br />
Cl<br />
+ P [ Cl]<br />
Cl<br />
i<br />
o<br />
⎫<br />
⎬<br />
⎭<br />
Equazione di Goldman (1943) e Hodgkin e Katz (1949)<br />
P i rappresenta la permeabilità della membrana alla specie i (cm/s)<br />
<strong>La</strong> corrente netta attraverso la membrana si ritiene nulla e il campo elettrico costante<br />
Lezione 2 5
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Esempio<br />
Muscolo scheletrico della rana (T ~ 20 o C)<br />
Concentrazione Ioni intracellulare extracellulare permeabilità<br />
(millimoli/litro)<br />
cm/s<br />
Na + 12 145 2x10 -8<br />
K + 155 4 2x10 -6<br />
Cl - 4 120 4x10 -6<br />
E<br />
=<br />
⎧ P (4) + P (145) + P (4) ⎫<br />
Na<br />
Cl<br />
0.0581⋅<br />
log<br />
85.<br />
10⎨<br />
⎬ = −<br />
⎩P<br />
(155) + P (12) + P (120)<br />
k<br />
Na<br />
Cl ⎭<br />
k<br />
3<br />
mV<br />
Lezione 2 6
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Potenziale d’azione<br />
• Lo stato attivo della cellula eccitabile è quello in cui si ingenera<br />
il potenziale d’azione<br />
• L’attivazione richiede uno stimolo adeguato cioè qualcosa che<br />
provochi la depolarizzazione della membrana al di sopra di una<br />
specifica soglia oltre la quale la depolarizzazione procede<br />
autoalimentandosi<br />
• la generazione del potenziale d’azione<br />
dipende dalla permeabilità tempo e tensione<br />
dipendenti della membrana cellulare<br />
• l’effetto della depolarizzazione include:<br />
- incremento della permeabilità di membrana<br />
alla specie Na + (aumenta la conduttanza per<br />
Na + )<br />
- gli Na + si precipitano dentro la cellula<br />
contribuendo ad incrementare la<br />
depolarizzazione e la permeabilità alla specie<br />
Na + (autorigenerazione)<br />
Lezione 2 7<br />
V[mV]<br />
20<br />
0<br />
-50<br />
-100<br />
1<br />
Soglia<br />
2<br />
3<br />
t [s]
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
V[mV]<br />
20<br />
0<br />
1<br />
2<br />
3<br />
t [s]<br />
Polarizzazione di membrana<br />
Stato attivo (depolarizzazione)<br />
-100<br />
Principalmente dovuto alla componente Na di Nernst<br />
(g Na<br />
incrementa con la tensione e superata la soglia crea un processo autorigenerativo)<br />
E<br />
RT<br />
nF<br />
[ Na]<br />
[ Na]<br />
o<br />
o<br />
ln = 0.0615log ≈ +<br />
10<br />
[ Na]<br />
[ Na]<br />
=<br />
60<br />
Na<br />
i<br />
i<br />
mV<br />
<strong>La</strong> depolarizzazione non raggiunge E Na poiché g Na dipende anche dal<br />
tempo e g K incrementa, in ritardo rispetto a g Na creando un effetto<br />
iperpolarizzante (il potassio esce riducendo il potenziale interno)<br />
Lezione 2 8
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Polarizzazione di membrana<br />
Stato attivo (depolarizzazione)<br />
mV<br />
+50<br />
g(mS/cm 2 )<br />
30<br />
V m<br />
E Na<br />
-80<br />
T=18.5 o C (fibra nervosa del calamaro)<br />
(andamento qualitativo dal modello<br />
di membrana di Hodgkin e Huxley)<br />
+20<br />
g Na<br />
g K<br />
0<br />
iperpolarizzazione<br />
-60<br />
E K<br />
assoluta<br />
relativa<br />
refrattarietà<br />
(limita la fmax a1Khz nel nervo)<br />
0 1 2 3 4 ms<br />
Lezione 2 9
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Polarizzazione di membrana<br />
Modello di Hodgkin e Huxley (1952)<br />
Circuito equivalente di un segmento di lunghezza infinitesima ∆z di membrana<br />
E o<br />
(z)<br />
r o (∆z/2)<br />
esterno<br />
i m<br />
r o (∆z/2)<br />
E o<br />
(z+∆z)<br />
membrana<br />
C m ∆z<br />
V m<br />
1/g Na ∆z 1/g K ∆z 1/g a ∆z<br />
g(v,t)<br />
(altre specie)<br />
E i<br />
(z) r i (∆z/2)<br />
E Na E K E a<br />
interno<br />
∆z<br />
r i (∆z/2) E i<br />
(z+∆z)<br />
Lezione 2 10
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Correnti bioelettriche<br />
Regione<br />
attiva<br />
I m2<br />
I e<br />
I i<br />
I m1<br />
- - - - ++++<br />
++++ - - - -<br />
Φ 2 Φ 1<br />
Direzione di propagazione<br />
I i =-(1/r i )(δΦ i /δz)<br />
(per cavo monodimensionale)<br />
I m =I c +I ion<br />
I c =C m δV m /δt<br />
I ion =I K +I Na +I Ca<br />
I K =g k (V m -E K )<br />
I Na =g Na (V m -E Na )<br />
I A =g A (V m -E A )<br />
g x =f (V m ,t)<br />
r i =R/l (resistenza specifica)<br />
Lezione 2 11
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
I e<br />
Correnti bioelettriche<br />
Propagazione del potenziale d’azione<br />
I m2<br />
Φ 2<br />
V m2<br />
I i<br />
I m1<br />
Φ 1<br />
V m1<br />
t 1 z 2 z 1 z 0<br />
Φ<br />
Φ(z 1 ) incrementa ed eccita la membrana<br />
I e<br />
I m1<br />
I m0<br />
V m1<br />
V m0<br />
propagazione<br />
t 2 In refrattarietà Φ 1 I i<br />
Φ 0<br />
Lezione 2 12
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Correnti bioelettriche<br />
z 2 z 1 t<br />
z 0<br />
Φ<br />
Si raggiunge la soglia<br />
e si eccita la sezione<br />
successiva<br />
Il potenziale non si attenua, ma viene rigenerato<br />
Lezione 2 13
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Fibre mielinizzate<br />
isolamento<br />
Nodi di Ranvier<br />
(concentrazione di canali)<br />
Conduzione saltatoria<br />
Bassa capacità e conduzione passiva tra i nodi<br />
Lezione 2 14
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Potenziale extracellulare<br />
Φ(t,x,y,z)?<br />
Il problema è ricavare il potenziale in un punto qualunque del<br />
volume conduttore circostante la cellula (lettura degli elettrodi)<br />
Lezione 2 15
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Potenziale extracellulare<br />
Corrente specifica attraverso la membrana (i m , A/cm 2 )<br />
(Plonsey e Barr 1988)<br />
I<br />
=<br />
1<br />
2πar<br />
i<br />
∂<br />
⋅<br />
2<br />
Φ ( z)<br />
i<br />
2<br />
∂ z<br />
1<br />
2πar<br />
m 2<br />
≈<br />
i<br />
2<br />
∂ V<br />
⋅<br />
∂<br />
m<br />
( z)<br />
z<br />
r i è la resistenza specifica interna (Ω/cm); a è il raggio della fibra; |Φ i |>|Φ o |~0<br />
I e<br />
I m2<br />
I m1<br />
V m2<br />
V m1<br />
Per la conservazione della carica, la variazione di<br />
Φ 2 I Φ i 1 corrente tra z 1<br />
e z 2<br />
è pari alla corrente attraverso la<br />
z 2 z membrana (ricordiamo che I=-(1/r)(δΦ/δz))<br />
1 i i i<br />
Se il mezzo esterno si può considerare resistivo e costante, il<br />
potenziale extracellulare è proporzionale alla derivata parziale<br />
seconda del potenziale di membrana rispetto a z<br />
Lezione 2 16
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Potenziale extracellulare<br />
0<br />
z=ut<br />
-90 mV<br />
V m (monofasico)<br />
Derivata prima (bifasica)<br />
Derivata seconda (trifasica) rilevata agli elettrodi<br />
Lezione 2 17
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Potenziale extracellulare<br />
Considerando in prima approssimazione una velocità di<br />
propagazione costante per il potenziale d’azione, è<br />
possibile scambiare la variabile indipendente tra tempo<br />
e spazio (z=ut con u=velocità di propagazione)<br />
V m2<br />
V m1<br />
z 2 z 1 z 0<br />
V m1 (ut 1 )=V m2 (ut 2 ) u(t 1 -t 2 )=z 1 -z 2 t 1 >t 2<br />
Lezione 2 18
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Potenziale extracellulare<br />
V m2<br />
V m1<br />
V<br />
z 2<br />
z 1<br />
z 0<br />
V m (t;z 2 )<br />
V m (t;z 1 )<br />
V<br />
t 2 t 1 t 0<br />
t<br />
V m (z;t 2 )<br />
V m (z;t 1 )<br />
z 2 z 1 z 0<br />
z=ut<br />
Lezione 2 19
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Φ<br />
Potenziale extracellulare<br />
Dipendenza da r (Rosenfalck 1969)<br />
2<br />
2<br />
2<br />
+∞<br />
a σ ( ∂ Φ ∂z'<br />
) t<br />
i<br />
i<br />
0<br />
r,<br />
z;<br />
t ) =<br />
dz'<br />
0 ∫<br />
2<br />
4σ<br />
−∞ r + ( z'<br />
−z)<br />
(<br />
o<br />
2<br />
0<br />
Φ o (r,z;t 0 )<br />
σ i e σ o in S/cm (conduttanze specifiche)<br />
r<br />
Ipotesi:<br />
• Simmetria assiale e σ note<br />
• Volume conduttore infinito<br />
• Velocità di conduzione costante<br />
• |Φ o (z)|
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Potenziale extracellulare<br />
Φ<br />
In funzione del tempo<br />
2<br />
2<br />
2<br />
+∞<br />
a σ ( ∂ Φ ∂z'<br />
) z<br />
i<br />
i<br />
0<br />
r,<br />
t;<br />
z ) = u<br />
dt'<br />
0 ∫<br />
2<br />
4σ<br />
−∞ r + ( u ⋅ ( t'<br />
−t))<br />
(<br />
o<br />
2<br />
0<br />
Φ o (r,t;z 0 )<br />
r<br />
a<br />
Φ i<br />
Dove si è posto z=ut (dz=udt) con<br />
u=velocità di propagazione<br />
(ipotizzata costante)<br />
ut<br />
ut’<br />
udt’<br />
Lezione 2 21
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Velocità di propagazione<br />
Può essere approssimata da:<br />
(Plonsey e Barr 1988)<br />
u<br />
≈<br />
Ka<br />
2<br />
R i<br />
K dipende dalla membrana, a è il raggio della<br />
fibra, R i la resistenza specifica del mezzo<br />
intracellulare e la resistenza extracellulare si<br />
ipotizza relativamente bassa<br />
Varia da 0.01 m/s a più di 10 m/s<br />
Lezione 2 22
Corso di Fondamenti di Bioingegneria Elettronica<br />
Campo magnetico<br />
I e<br />
I m2<br />
V m2<br />
V m1<br />
Φ 2 I i<br />
Φ 1<br />
I m1<br />
B<br />
∇ × H = − j +<br />
∂B<br />
∇ × E = −<br />
∂t<br />
B = µ H<br />
D = k E<br />
ε 0<br />
∂D<br />
∂t<br />
Lezione 2 23