Nuovo Ordinamento - Ingegneria - Università degli Studi di Trento
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FACOLTA’ DI INGEGNERIA<br />
MICROELETTRONICA<br />
Docente: Prof. G.-F. Dalla Betta (gf-dallabetta@ieee.org)<br />
2° anno - 2° bimestre - 6 cre<strong>di</strong>ti<br />
Corso <strong>di</strong> Laurea specialistica in <strong>Ingegneria</strong> delle Telecomunciazioni<br />
Il corso introduce lo studente alla tecniche <strong>di</strong> progettazione dei circuiti integrati a larga scala <strong>di</strong><br />
integrazione VLSI, <strong>di</strong> normale impiego nelle tecnologie informatiche e nelle telecomunicazioni. La<br />
trattazione si avvale per le esercitazioni <strong>di</strong> simulazioni SPICE ed inoltre <strong>di</strong> un software <strong>di</strong>dattico,<br />
“Introduction to Microelectronics”, che consente <strong>di</strong> evidenziare sia gli aspetti tecnologici che quelli<br />
circuitali necessari per la progettazione CAD.<br />
¾ Cenni introduttivi alla fisica dei semiconduttori: struttura cristallografica; semiconduttori<br />
intrinseci ed estrinseci tipo p ed n; proprietà elettriche ed equazioni del trasporto della corrente.<br />
¾ Tecnologie microelettroniche: accrescimento cristalli, epitassia, fotolitografia e rimozioni<br />
selettive, ossidazione, drogaggio, deposizioni PVD e CVD, metallizzazioni.<br />
¾ Dio<strong>di</strong>: giunzione p-n in equilibrio e in polarizzazione inversa e <strong>di</strong>retta; caratteristica<br />
statica corrente tensione; rottura della giunzione; effetti capacitivi; parametri SPICE e simulazioni <strong>di</strong><br />
circuiti elementari contenenti <strong>di</strong>o<strong>di</strong>.<br />
¾ Condensatori e transistori MOSFET a canale n e p; caratteristiche statiche correntetensione;<br />
guadagno in corrente; tensione <strong>di</strong> soglia ed effetto body; effetti capacitivi; scaling; parametri<br />
SPICE e simulazioni <strong>di</strong> circuiti elementari contenenti MOSFET.<br />
¾ Tecnologie CMOS; regole <strong>di</strong> progetto; testing e rese <strong>di</strong> produzione.<br />
¾ Circuiti integrati <strong>di</strong>gitali CMOS: invertitore, porte logiche, flip-flop, shift register. Simulazioni<br />
SPICE <strong>di</strong> circuiti CMOS <strong>di</strong>gitali.<br />
¾ Circuiti integrati analogici CMOS: amplificatori a singolo sta<strong>di</strong>o, specchi <strong>di</strong> corrente,<br />
coppie <strong>di</strong>fferenziali, amplificatori “cascode”, amplificatori operazionali CMOS. Simulazioni SPICE <strong>di</strong><br />
circuiti CMOS analogici.<br />
Modalità d’esame<br />
L’esame prevede il superamento <strong>di</strong> una prova scritta, seguita per gli studenti sufficienti da un esame<br />
orale che potrà vertere anche sulla <strong>di</strong>scussione <strong>di</strong> un circuito integrato simulato con SPICE dallo<br />
studente.<br />
Propedeuticità<br />
Elettrotecnica. Elettronica 1. Elettronica2.<br />
Testi consigliati per la preparazione dell’esame<br />
· A. S. Sedra and K. C. Smith: “Microelectronic Circuits”, Oxford University Press.,<br />
4°e<strong>di</strong>z., 1998.<br />
· Appunti redatti a cura del Docente, contenenti teoria ed esercizi.<br />
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