Nuovo Ordinamento - Ingegneria - Università degli Studi di Trento
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ELETTRONICA 1<br />
Docente: Prof. G.-F. Dalla Betta (gf-dallabetta@ieee.org)<br />
2° anno - 3° bimestre - 6 cre<strong>di</strong>ti<br />
Corso <strong>di</strong> laurea in <strong>Ingegneria</strong> delle Telecomunicazioni<br />
PROGRAMMI DI INSEGNAMENTO a.a. 2002/2003<br />
La prima parte del corso introduce i principali componenti elettronici attivi (<strong>di</strong>odo, transistore ad<br />
effetto <strong>di</strong> campo MOSFET) e le metodologie <strong>di</strong> analisi delle reti elettriche contenenti <strong>di</strong>o<strong>di</strong> e/o<br />
transistori, cioè dei circuiti elettronici atti alla elaborazione analogica dei segnali. Completa il corso<br />
la seconda parte, de<strong>di</strong>cata all’ amplificatore operazionale ed alle sue applicazioni.<br />
¾ Dio<strong>di</strong>: caratteristica statica corrente-tensione e modello matematico. Analisi <strong>di</strong> reti elettriche<br />
contenenti <strong>di</strong>o<strong>di</strong>. Dio<strong>di</strong> Zener come stabilizzatori <strong>di</strong> tensione. Alimentatori DC. Simulazione al<br />
calcolatore <strong>di</strong> semplici circuiti elettronici contenenti <strong>di</strong>o<strong>di</strong>.<br />
¾ Transistori ad effetto <strong>di</strong> campo MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors):<br />
caratteristiche statiche e modello matematico. Punto <strong>di</strong> lavoro e reti <strong>di</strong> polarizzazione.<br />
Circuito equivalente del MOSFET per i segnali. Analisi in continua ed ai segnali <strong>di</strong> reti elettriche<br />
contenenti MOSFET. Simulazione al calcolatore <strong>di</strong> semplici circuiti elettronici contenenti MOSFET.<br />
¾ Amplificatori Operazionali (Op Amp.): Op Amp. ideale. Op Amp in reti <strong>di</strong> retroazione<br />
resistive.<br />
¾ Op Amp in reti <strong>di</strong> retroazione resistive-capacitive. Filtri attivi. Derivatori ed integratori.<br />
¾ Amplificatori Operazionali reali: parametri caratteristici e prestazioni. Simulazioni al calcolatore<br />
<strong>di</strong> circuiti elettronici contenenti Op. Amp.<br />
Modalità d’esame<br />
L’esame prevede il superamento <strong>di</strong> una prova scritta seguita per gli studenti sufficienti da un esame<br />
orale, che potrá vertere, facoltativamente, anche sull’analisi CAD <strong>di</strong> circuiti elettronici.<br />
Propedeuticità<br />
Elettrotecnica<br />
Testi consigliati per la preparazione dell’esame<br />
· Appunti redatti a cura del Docente, contenenti teoria ed esercizi.<br />
· A. S. Sedra and K. C. Smith “Microelectronic Circuits” Oxford University Press., 4°<br />
e<strong>di</strong>z., 1998<br />
Testi per la consultazione (reperibili presso la Biblioteca della Facoltà <strong>di</strong> <strong>Ingegneria</strong>)<br />
· R. C. Jaeger “Microelettronica” McGraw Libri Italia s.r.l., e<strong>di</strong>zione 1998.<br />
· J. Millmann e A. Grabel “Microelettronica” McGraw Libri Italia s.r.l., e<strong>di</strong>zione 1994.<br />
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