Nuovo Ordinamento - Ingegneria - Università degli Studi di Trento
Nuovo Ordinamento - Ingegneria - Università degli Studi di Trento
Nuovo Ordinamento - Ingegneria - Università degli Studi di Trento
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
PROGRAMMI DI INSEGNAMENTO a.a. 2002/2003<br />
ELETTRONICA<br />
Docente: prof. Giovanni Soncini<br />
2° anno - 3° bimestre - 6 cre<strong>di</strong>ti<br />
Corso <strong>di</strong> Laurea in <strong>Ingegneria</strong> dell’Informazione e dell’Organizzazione<br />
La prima parte del corso illustra le nozioni essenziali sui segnali analogici e <strong>di</strong>gitali ed introduce i<br />
principali componenti elettronici attivi (<strong>di</strong>odo, transistore ad effetto <strong>di</strong> campo MOSFET) e le metodologie<br />
<strong>di</strong> analisi delle reti elettriche contenenti <strong>di</strong>o<strong>di</strong> e/o transistori, cioè dei circuiti elettronici atti alla<br />
elaborazione analogica dei segnali. Completa il corso la seconda parte, de<strong>di</strong>cata all’ amplificatore<br />
operazionale ed alle sue applicazioni.<br />
Programma<br />
a) prima parte<br />
1. Segnali<br />
Segnali analogici: rappresentazione nel dominio del tempo e della frequenza. Richiami sulla teoria<br />
delle reti, sulla risposta in frequenza e sulla sua rappresentazione me<strong>di</strong>ante i <strong>di</strong>agrammi asintotici <strong>di</strong><br />
Bode. Segnali <strong>di</strong>gitali e conversione analogica/<strong>di</strong>gitale.<br />
2. Dio<strong>di</strong><br />
Dio<strong>di</strong>: caratteristica statica corrente-tensione e modello matematico. Analisi <strong>di</strong> reti elettriche contenenti<br />
<strong>di</strong>o<strong>di</strong>. Dio<strong>di</strong> Zener come stabilizzatori <strong>di</strong> tensione. Alimentatori DC. Simulazione al calcolatore<br />
<strong>di</strong> semplici circuiti elettronici contenenti <strong>di</strong>o<strong>di</strong>.<br />
3. Transistori MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors))<br />
Transistori ad effetto <strong>di</strong> campo MOSFET: caratteristiche statiche e modello matematico. Punto <strong>di</strong><br />
lavoro e reti <strong>di</strong> polarizzazione. Circuito equivalente del MOSFET per i segnali. Analisi in continua<br />
ed ai segnali <strong>di</strong> reti elettriche contenenti MOSFET. Simulazione al calcolatore. Esempi ed Esercizi.<br />
b) seconda parte<br />
4. Amplificatori Operazionali<br />
Amplificatore Operazionale (Op Amp.) ideale. Op Amp in reti <strong>di</strong> retroazione resistive.<br />
Op Amp in reti <strong>di</strong> retroazione resistive-capacitive. Filtri attivi. Derivatori ed Integratori. Calcolatori<br />
analogici.<br />
Amplificatori Operazionali reali: parametri caratteristici e prestazioni.<br />
Simulazioni al calcolatore <strong>di</strong> circuiti elettronici contenenti Op. Amp. Esempi ed Esercizi.<br />
Modalità d’esame<br />
L’esame prevede il superamento <strong>di</strong> una prova scritta (o, in alternativa, da due prove scritte parziali<br />
relative alla prima ed alla seconda parte del corso), seguita per gli studenti sufficienti da un esame<br />
orale facoltativo, che verterà sull’analisi CAD <strong>di</strong> circuiti elettronici.<br />
Propedeuticità<br />
Elettrotecnica<br />
Testi consigliati per la preparazione dell’esame<br />
103
Change language