L'inverter NPC in azionamenti di MT per motori asincroni - DimacReD
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L‟IGCT (<strong>in</strong> figura b.4) è uno sviluppo ulteriore del GTO; sono <strong>di</strong>spositivi costruttivamente prodotti<br />
<strong>in</strong> capsule a <strong>di</strong>sco. Richiedono un circuito <strong>di</strong> protezione (un <strong>in</strong>duttore) all'accensione, <strong>per</strong> limitare la<br />
velocità <strong>di</strong> salita della corrente. Però, rispetto i GTO, il circuito <strong>di</strong> protezione allo spegnimento è<br />
facoltativo e può essere omesso al prezzo <strong>di</strong> una leggera riduzione della massima corrente <strong>di</strong><br />
spegnimento. L‟uso <strong>di</strong> IGCT negli <strong>in</strong>verter con alte tensioni non richiede collegamenti serie o<br />
parallelo; questo riduce il numero <strong>di</strong> <strong>di</strong>spositivi da utilizzare rispetto la soluzione IGBT.<br />
Come il GTO, l‟IGCT ha basse <strong>per</strong><strong>di</strong>te <strong>di</strong> conduzione, m<strong>in</strong>ori rispetto a quelle degli IGBT. Invece<br />
le <strong>per</strong><strong>di</strong>te durante lo spegnimento sono <strong>in</strong>feriori negli IGBT; questa è la ragione <strong>per</strong> cui la frequenza<br />
<strong>di</strong> commutazione degli IGBT è più alta <strong>in</strong> confronto agli IGCT con valori tecnici equivalenti.<br />
La tipica frequenza <strong>di</strong> commutazione degli IGCT (accensione e spegnimento) è attorno ai 500 Hz.<br />
La frequenza limite massima <strong>di</strong> commutazione è limitata dalle <strong>per</strong><strong>di</strong>te termiche <strong>di</strong> conduzione e<br />
qu<strong>in</strong><strong>di</strong> dall'efficacia del sistema <strong>di</strong> raffreddamento.<br />
Figura b.148<br />
La tabella seguente riassume i dati pr<strong>in</strong>cipali <strong>di</strong> un azionamento elettrico <strong>per</strong> il controllo <strong>di</strong> velocità<br />
basato su <strong>in</strong>verter <strong>NPC</strong> a tre livelli <strong>in</strong> me<strong>di</strong>a tensione, <strong>in</strong><strong>di</strong>cando <strong>in</strong>oltre il semiconduttore impiegato.<br />
Tabella 1<br />
Semiconduttore<br />
Tensione <strong>di</strong> blocco<br />
[kV]<br />
Tensione nom<strong>in</strong>ale<br />
del convertitore [kV]<br />
Potenza del<br />
convertitore [MVA]<br />
IGBT (capsula) 3.3 – 6.5 2.3-3.3-4.16-6-6.6 0.8-10<br />
IGBT (modulo) 4.5 3.3-3.4 6-32<br />
IGCT (capsula) 4.5 – 5.5 2.3-3.3-4.16 0.3-30<br />
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