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L'inverter NPC in azionamenti di MT per motori asincroni - DimacReD

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Appen<strong>di</strong>ce B<br />

SEMICONDUTTORI DI POTENZA PER<br />

CONVERTITORI IN MEDIA TENSIONE<br />

Nelle applicazioni <strong>di</strong> me<strong>di</strong>a tensione i <strong>di</strong>spostivi <strong>di</strong> potenza a semiconduttori (gli <strong>in</strong>terruttori) sono<br />

progettati <strong>in</strong> modo da ottimizzare le loro caratteristiche tecnologiche (tempi <strong>di</strong> commutazione,<br />

massima tensione <strong>di</strong> blocco...). Sono pilotati con particolari accorgimenti che comportano un<br />

aumento della complessità e del costo del sistema <strong>di</strong> controllo dei circuiti <strong>di</strong> potenza.<br />

Attualmente i <strong>di</strong>spositivi <strong>di</strong> potenza a semiconduttore utilizzati come <strong>in</strong>terruttori negli <strong>in</strong>verter VSI<br />

<strong>di</strong> me<strong>di</strong>a tensione sono: gli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor, <strong>in</strong> un modulo) o gli IGCT<br />

(Integrated Gate Commutated Thyristor). Nel seguito sono fornite alcune <strong>in</strong>formazioni tecniche su<br />

questi <strong>di</strong>spositivi, utili <strong>per</strong> chi analizza il funzionamento dell‟<strong>in</strong>verter da un punto <strong>di</strong> vista globale<br />

senza entrare <strong>in</strong> dettaglio nelle descrizioni del funzionamento o delle caratteristiche <strong>di</strong> tali<br />

<strong>di</strong>spositivi [41-42-43].<br />

Il <strong>di</strong>spositivo utilizzato deve far fronte a tre tensioni:<br />

- la tensione del bus <strong>in</strong> cont<strong>in</strong>ua <strong>in</strong> stato <strong>di</strong> blocco;<br />

- i picchi <strong>di</strong> sovratensioni durante le commutazioni;<br />

- la tensione massima <strong>in</strong> relazione alla corrente da <strong>in</strong>terrom<strong>per</strong>e durante la commutazione <strong>di</strong><br />

a<strong>per</strong>tura, si deve garantire il funzionamento nella zona <strong>di</strong> sicurezza (SOA).<br />

Gli IGBT sono fabbricati come piccoli semiconduttori <strong>in</strong> capsula con <strong>di</strong>mensioni tipiche <strong>di</strong> 2-3 cm 2 ;<br />

sono poi montati all'<strong>in</strong>terno <strong>di</strong> moduli <strong>in</strong> varie configurazioni elettriche e meccaniche assieme ai<br />

corrispondenti <strong>di</strong>o<strong>di</strong>. In figura b.1 sono mostrati due moduli <strong>di</strong> IGBT. Vantaggi nell‟uso degli<br />

IGBT, soprattutto <strong>per</strong> le piccole e me<strong>di</strong>e potenze, sono la controllabilità della fase <strong>di</strong> commutazione<br />

così come la capacità <strong>di</strong> sopportare il corto circuito (alte correnti e alte tensioni presenti<br />

simultaneamente sull'elemento). Questo rende possibile o<strong>per</strong>are senza circuiti protettivi (snubbers).<br />

Inoltre gli IGBT possono essere collegati <strong>di</strong>rettamente <strong>in</strong> serie senza grosse problematiche,<br />

raggiungendo così tensioni <strong>di</strong> uscita dell‟<strong>in</strong>verter VSI a tre livelli oltre i 3,3 kV f<strong>in</strong>o ai 7,2 kV.<br />

Tali <strong>di</strong>spositivi possono raggiungere <strong>per</strong> basse potenze, frequenze <strong>di</strong> commutazioni su<strong>per</strong>iori ai 10<br />

kHz. Nelle applicazioni <strong>di</strong> me<strong>di</strong>a tensione l‟elevata tensione <strong>in</strong> gioco e un flusso maggiore <strong>di</strong><br />

potenza causano <strong>per</strong><strong>di</strong>te <strong>di</strong> commutazione maggiori rispetto alle applicazione <strong>di</strong> bassa potenza,<br />

questo porta a lavorare con frequenze <strong>di</strong> commutazione <strong>in</strong>feriori ai 1000 Hz.<br />

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