บทที่3 เทคโนโลยีวงจรรวม

More documents

Recommendations

Info

1. 2. 3. 4. + pmask (negative) n p-diffusion Polysilicon 65 SiO 2 p-well(4-5μm) รูปที่ 3.16 ขั้นตอนของกระบวนการสรางวงจรรวมแบบซีมอสดวยกระบวนการ p-well p n-diffusion Thin oxide and polysilicon + pmask (positive)
66 ความเกี่ยวของสําหรับกระบวนการมาสค, การกําหนดรูปแบบ(patterning) และ การ แพรซึม ของกระบวนการสรางวงจรรวมแบบซีมอสดวยกระบวนการ p-well สามารถสรุปเปน ขั้นตอนไดดังนี้ มาสค1. กําหนดพื้นที่ในสวนของ p-well ที่จะทําการแพรซึมลึกลงไปในซับสเตรต มาสค2.กําหนดแถบ thinox คือ ชื่อบริเวณที่มีแถบของออกไซดที่มีความหนาอยูแตถูกปอกออก (stripped) และ จากนั้นก็จะทําการปลูกออกไซดบางๆ ลงในสวนของเอ็นมอสและพีมอส ทรานซิสเตอร มาสค3. เปนการวางชั้นของโพลีซิลิกอนลงไปหลังจากปลูกชั้นออกไซดบางๆ มาสค4. ทําการมาสคดวย p + เพื่อที่กําหนดพื้นที่ในการแพรการกระจายของสารกึ่งตัวนําชนิด p มาสค5. กระทําเชนเดียวกันกับ p + อีกครั้งแตเปนแบบลบเพื่อกําหนดพื้นที่ในการแพรกระจายของ สารกึ่งตัวนําชนิด n มาสค6. กําหนดพื้นที่ของหนาผิวสัมผัสที่จะทําการตัด มาสค7. วางชั้นของโลหะลงไปเชื่อมตอ มาสค8. ทําการแพ็กทั้งหมดเขาดวยกันและกําหนดจุดเชื่อมตอออกภายนอก (bonding pads) 3.2.2.2 กระบวนการ n-well ดังที่กลาวมาแลววากระบวนการสรางวงจรรวมแบบซีมอสดวยกระบวนการ p-wellไดใชกันอยางกวางขวางแตกระบวนการสรางวงจรรวมแบบซีมอสดวยกระบวนการ n-well เปนที่ยอมรับมากกวาเนื่องจากมีกระบวนการเดียวกันกับการสรางเอ็นมอส วงจรรวมแบบซีมอสดวยกระบวนการ n-well ดีกวาวงจรรวมแบบซีมอสดวย กระบวนการ p-well เพราะวาการไบอัสที่ซับสเตรตมีผลกระทบตอแรงดันขีดเริ่มเปลี่ยนนอยและมี คาความจุประจุพาราซิติกที่เดรนและซอรสนอยกวา สําหรับขั้นตอนการสรางวงจรรวมแบบซีมอสดวยกระบวนการ n-well แสดงได ดังรูปที่ 3.17 ขั้นตอนแรกเริ่มจากการกําหนดพื้นที่แถบ n-well ตามดวยการเจือธาตุฟอสฟอรัส ดวยการใชอุณหภูมิที่สูงเพื่อใหเกิดการแพรซึมใน n-well ความลึกของ well ยังคงมีประสิทธิภาพ เมื่อแนใจวาสารกึ่งตัวนําชนิด p ที่เปนซับสเตรตกั้นไมให p + เกิดการแพรกระจายแบบพังทลายโดย ไมมีการมาสค n + ลงใน n-well ขั้นตอนตอมาจะเปนการกําหนดสวนของพีมอสและเอ็นมอสและ
Page 1 and 2: บทที่ 3 เทคโน
Page 3 and 4: collector contact 60 รูปท
Page 5 and 6: 62 3.2 เทคโนโลยี
Page 7: 64 สําหรับมอส
Page 11 and 12: deposited oxide p 68 gate gate S D
Page 13 and 14: Basecontact Metal p + Bipolar npn t

บทที่3 เทคโนโลยีวงจรรวม

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?