บทที่3 เทคโนโลยีวงจรรวม
บทที่3 เทคโนโลยีวงจรรวม
บทที่3 เทคโนโลยีวงจรรวม
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
67<br />
การแพรกระจายในแตละสวน ทําการปลูกออกไซดที่แชนแนล<br />
วางโพลีซิลิกอนพาดลงไป ทําการ<br />
แพรกระจายของพาหะ ตัดหนาสัมผัส และสุดทายวางโลหะลงไปยังหนาสัมผัส และโครงสรางของ<br />
วงจรรวมแบบซีมอสดวยกระบวนการ n-well แสดงไดดังรูปที่<br />
3.18<br />
Formation of n-well regions<br />
Define nMOS and pMOS active areas<br />
Field and gate oxidations(thinox)<br />
Form and pattern polysilicon<br />
p + diffusion<br />
n + diffusion<br />
Contact cuts<br />
Deposit and pattern metallization<br />
Over glass with cuts for bonding pads<br />
รูปที่<br />
3.17 ขั้นตอนของกระบวนการสรางวงจรรวมแบบซีมอสดวยกระบวนการ<br />
n-well
Change language